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III-V族半导体太阳能电池专利检索与分析报告-元智大学最佳化设计
III-V 族半導體太陽電池專利檢索與分析報告
作者:洪永杰(2005-06-01);推薦:徐業良(2005-06-02)。
作者:洪永杰(2005-06-01);推薦:徐業良(2005-06-02)。
III-V族半導體太陽能電池專利檢索與分析報告
本文首先對太陽能電池(Solar Cell)技術與元件作一簡介,接著針對III-V 族半導
體太陽能電池之相關技術作專利分析,藉以瞭解現有產品的專利狀況以及技術特點,
並利用專利地圖(patent map)的製作,將專利資訊做最有效之組織分析,以了解整體產
業環境之發展。同時針對現有技術其開發動向、運用手法、與其達成效果進行交叉分
析,以期在舊有技術領域中看出可開發的新區域,藉以擬定技術研發與創新設計之切
入點,建立有別於現有產品之市場與技術區隔。
1. 太陽能電池技術簡介
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從太陽表面所放射出來的能量,換算成電力約 3.8×10 kW,太陽光經過一億五
千萬公里的距離,穿過大氣層到達地球的表面,也約有 1.8×1014kW,大約為全球平
均電力的十萬倍。若能夠有效的運用此能源,不僅能解決消耗性能源的問題,連環保
問題也可一併獲得解決。
太陽能電池是一種能量轉換的光電元件,經由太陽光照射後,把光的能量轉換成
電能。太陽能電池最早在 1954 年由Bell 實驗室所發明,當時研發的動機是希望能提
供偏遠地區供電系統的能源,但是當時太陽能電池的效率只有6%,而且造價太高(357
美元/瓦),缺乏商業上的價值。後來太陽能電池在太空應用中有重要的地位,從 1957
年蘇聯發射第一顆人造衛星開始,一直到 1969 年美國太空人登陸月球,乃至於近年
來蓬勃發展的通訊衛星,都廣泛應用太陽能電池。
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III-V 族半導體太陽電池專利檢索與分析報告
1.1 太陽能電池工作原理
太陽能電池能將光能轉換成電能,也稱為光伏電池(Photovoltaic, PV),是以半導
+
體材料製作的光電元件。圖 1 為一晶體矽太陽能電池構造示意圖,一般採用 n /p 同
質結的結構,即在約 10 公分見方面積的p 型矽片上用擴散法製作出一層很薄經過重
摻雜的n 型層,然後在n 型層上面製作金屬柵線,作為正面接觸電極,在整個背面也
製作金屬膜,作為背面接觸電極。為了減少光的反射損失,一般會在整個表面上再覆
蓋一層抗反射塗層。
黏著層黏著層
抗反射抗反射
((透明透明)) 塗層塗層
太陽光太陽光
玻璃玻璃
電子電子
電洞電洞
nn typetype 半導體半導體
pp typetype 半導體半導體((基板基板))
背電極背電極
圖1. 太陽能電池構造示意圖[]
太陽能電池發電原理是利用光伏效應(Photovoltaic Effect),當p -n 半導體材料吸
收0.2~2.4 微米波長的太陽光,產生電子電洞對(如圖2 所示),接通電路後就形成從
n 型區到p 型區的電流。
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