飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 6 (2014) 067801 飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导 增益现象研究∗ 高仁喜 高胜英 范光华 刘杰 王强 赵海峰 曲士良 1)(哈尔滨工业大学 (威海) 理学院光电科学系, 威海 264209) 2)(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 长春 130033) ( 2013 年11 月21 日收到; 2013 年12 月11 日收到修改稿) 半绝缘6H 型碳化硅 (6H-SiC) 具有高电阻率性质, 在可见光照射下进行光电导测量时, 通常光生电流很 小; 然而经过飞秒激光辐照改性之后, 发现在可见光波段的光电导有明显的增益. 本文利用紫外-可见-近红 外吸收谱、X 射线光电子能谱和发光光谱测量分析了激光改性之后碳化硅样品的光谱吸收、发射和晶体元素 比例变化情况. 分析认为碳化硅光电导增益的原因是飞秒激光辐照过程改变了碳化硅表面的硅碳元素的原子 浓度比, 形成新的物质结构形式, 从而导致了表面光电导性能的提高. 关键词: 光电导增益, 6H 碳化硅, 飞秒激光 PACS: 78.20.nc, 42.70.Qs, 79.20.Ds DOI: 10.7498/aps.63.067801 6H-SiC 具有比较宽的带隙 (3.0 eV), 并且是碳 1 引 言 化硅中最稳定的形体, 在光电子学、高温电子学、抗 辐射电子学和高频大功率器件等领域都具有很高 飞秒激光具有很高的脉冲功率和很短的脉冲 的应用价值. 这要得益于它具有很高的击穿电场 持续时间, 用飞秒进行精微加工是真正意义上的 强度、高热导率、高速的电子饱和漂移速度. 本文 冷加工1 , 可以在玻璃、聚酰亚胺和宽带隙半导体 工作主要是对6H-SiC 晶体进行飞秒激光辐照改性, 材料等透明材料中进行三维加工2 或材料局部改 对比了飞秒激光扫描前后的光电导特性之不同, 并 性3 . 在光电导改性方面, 20 世纪90 年代有关于 用吸收谱、X 射线光电子能谱 (XPS) 和发光谱分析 4 紫外激光辐射之后聚酰亚胺的电导率增强 , 以及 6H-SiC 光电导在飞秒激光扫描之后发生光电导增 化学准分子激光辐照聚酰亚胺之后由于伴随着金 益的原因, 为开展SiC 基光电子集成器件进行了有 属绝缘体相变从而引起电导率增加的报道5 . 最 益的基础研究探索. 近, 国外一些研究组报道了关于飞秒激光改性增强 67 6H-SiC 光吸收和光电流的研究 ; 国内也有关于 2 实 验 8 飞秒激光诱导碳化硅表面纳米结构 以及飞秒激 9 光加工宽带隙材料的研究 , 也有关于两束干涉飞 实验选用的半绝缘6H-SiC ⟨⟩ 是北京天科 秒激光在6H-SiC 表面制造亚微米坑阵列从而提高 合达公司生产的2 英寸的商品化晶片, 晶片被切成 其光吸收能力的报道10 . 但是很多研究内容并没 mm × m