溅射的ti薄膜热氧化形成的tio2薄膜与p-si形成的异质结-发光学报.pdfVIP

第３２卷　第５期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３２ Ｎｏ５ ２０１１年５月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｍａｙ，２０１１ 文章编号：１０００７０３２（２０１１）０５０４７１０５ ＋ 溅射的Ｔｉ薄膜热氧化形成的ＴｉＯ 薄膜与ｐＳｉ ２ 形成的异质结的电致发光  张安邦，马向阳 ，金　璐，杨德仁 （浙江大学 硅材料国家重点实验室，浙江 杭州　３１００２７） 摘要： ＋ 利用磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片（ｐＳｉ）上制备Ｔｉ薄膜，经过一定条件下的热氧化转化为 ＋ ＋ ＴｉＯ薄膜，从而形成ＴｉＯ／ｐＳｉ异质结。研究表明：要使 ＴｉＯ／ｐＳｉ异质结产生显著的电致发光，其中的 ２ ２ ２ ＴｉＯ薄膜必须呈现单一的锐钛矿相，这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ｔｉ薄膜。此外，ＴｉＯ ２ ２ 的薄膜厚度需要控制在合理的范围。文中对上述结果的物理机制进行了探讨。 关　键　词：二氧化钛；硅；异质结；电致发光 中图分类号：Ｏ４８２３１；ＴＮ３０４　　　ＰＡＣＳ：７８．６０．Ｆｉ　　　ＰＡＣＣ：７８６０Ｆ　　　文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０４７１ 究，阐明了溅射的Ｔｉ薄膜热氧化后形成的ＴｉＯ １　引　　言 ２ ＋ 薄膜与ｐＳｉ形成的异质结能产生较强的电致发 半导体ＴｉＯ 由于具有良好的光学和电学性 ＋ ２ 光所需满足的条件，为进一步改善ＴｉＯ／ｐＳｉ异 ２ 能，被广泛地应用于光催化、太阳电池等领 质结的电致发光性能提供了思路。 ［１６］ 域 。在以往的研究中，ＴｉＯ 很少应用于发光 ２ ２　实　　验 器件，这是由于它是间接带隙半导体，载流子直接 ［７］ ＋ 复合所导致的发光效率较低 。但是，在ＴｉＯ 中 ＴｉＯ／ｐＳｉ异质结器件的制备步骤如下： ２ ２ 存在各种缺陷，有些缺陷（如氧空位）可以成为可 （１）使用标准 ＲＣＡ工艺清洗晶向为〈１００〉、 ［８１１］