第6章 微型计算机原理(王忠民).ppt

(4) 编程方式：当VPP＝+25 V，CS＝l，并在PD/PGM端加上52 ms宽的正脉冲时，可以将数据线上的信息写入指定的地址单元。数据线为输入状态。 (5) 校验编程内容方式：此方式与读出方式基本相同，只是VPP＝+25?V。在编程后，可将2716中的信息读出，与写入的内容进行比较，以验证写入内容是否正确。数据线为输出状态。 (6) 禁止编程方式：此方式禁止将数据总线上的信息写入2716。 表6.3 常用的EPROM芯片 型号 容量结构 最大读出时间/ns 制造工艺 需用电源/V 管脚数 2708 1?K×8?bit 350~450 NMOS ?5，+12 24 2716 2?K×8?bit 300~450 NMOS +5 24 2732A 4?K×8?bit 200~450 NMOS +5 24 2764 8 K×8bit 200~450 HMOS +5 28 27128 16K×8?bit 250~450 HMOS +5 28 27256 32?K×8?bit 200~450 HMOS +5 28 27512 64?K×8?bit 250~450 HMOS +5 28 27513 4×64?K×8?bit 250~450 HMOS +5 28 3. Intel 2816 E2PROM芯片 Intel 2816是2?K?8位的E2PROM芯片，有24条引脚，单一+5 V电源。其引脚配置见图6.16。 图6.16 Intel 2816的引脚 表6.4 2816的工作方式 引脚 方式 CE OE VPP /V 数据线状态 读出 0 0 +4?+6 输出 待机(备用) 1 × +4?+6 高阻 字节擦除 0 1 +21 输入为全1 字节写入 0 1 +21 输入 整片擦除 0 +9?+15 V +21 输入为全1 擦写禁止 1 × +4?+22 高阻 (1) 读出方式。当CE=0，OE=0，并且VPP 端加+4～+6 V电压时，2816处于正常的读工作方式，此时数据线为输出状态。 (2) 待机(备用)方式。当CE=1，OE为任意状态，且VPP 端加+4～+6 V电压时，2816处于待机状态。与2716芯片一样，待机状态下芯片的功耗将下降。 (3) 字节擦除方式。当CE=0，OE=1，数据线(I/O0～I/O7)都加高电平且VPP加幅度为+2l V、宽度为9～15 ms的脉冲时，2816处于以字节为单位的擦除方式。 图6.8 四管动态RAM存储电路 电路中，V5、V6、V7、V8管仍为控制管，当行选择线X和列选择线Y都为高电平时，该基本存储电路被选中，V5、V6、V7、V8管都导通，则A、B点与位线D、D分别相连，再通过V7、V8管与外部数据线I/O、I/O相通，可以进行读/写操作。同时，在列选择线上还接有两个公共的预充管V9和V10。 写操作时，如果要写入“1”，则在I/O线上加上高电平，在I/O线上加上低电平，并通过导通的V5、V6、V7、V8 4个晶体管，把高、低电平分别加在A、B点，将信息存储在V1和V2管栅极电容上。行、列选通信号消失以后，V5、V6截止，靠V1、V2管栅极电容的存储作用，在一定时间内可保留所写入的信息。 读操作时，先给出预充信号使V9、V10导通，由电源对电容CD和CD进行预充电，使它们达到电源电压。行、列选择线上为高电平，使V5、V6、V7、V8导通，存储在V1和V2上的信息经A、B点向I/O、I/O线输出。若原来的信息为“1”，即电容C2上存有电荷，V2导通，V1截止，则电容CD上的预充电荷通过V6经V2泄漏，于是，I/O线输出0，I/O线输出1。同时，电容CD上的电荷通过V5向C2补充电荷，所以，读出过程也是刷新的过程。 2) 单管动态RAM基本存储电路 单管动态RAM基本存储电路只有一个电容和一个MOS管，是最简单的存储元件结构，如图6.9所示。在这样一个基本存储电路中，存放的信息到底是“1”还是“0”，取决于电容中有没有电荷。在保持状态下，行选择线为低电平，V管截止，使电容C基本没有放电回路(当然还有一定的泄漏)，其上的电荷可暂存数毫秒或者维持无电荷的“0”状态。 图6.9 单管动态存储电路 对由这样的基本存储电路组成的存储矩阵进行读操作时，若某一行选择线为高电平，则位于同一行的所有基本存储电路中的V管都导通，于是刷新放大器读取对应电容C上的电压值，但只有列选择信号有效的基本存储电路才受到驱动，从而可以输出信息。刷新放大