第一章part1.ppt

* 1.2.1PN结及其单向导电性 PN结加反向电压时的导电情况 N区的电位高于P区的电位，PN结反偏 E与E方向相同，加强了内电场的作用 阻挡层内合成电场增大 空间电荷区变宽 漂移电流大于扩散电流 在一定温度下，本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流恒定，基本上与所加的反向电压大小无关，这个电流称为反向饱和电流IS * 1.2.1PN结及其单向导电性 PN结的重要特性：单向导电性 PN结正偏时呈低阻，反偏时呈高阻 PN结具有单向导电性 * 1.2.2二极管的结构和类型 在PN结上加上引线和封装即为二极管 分类：点接触型、面接触性、平面型 (1)点接触型二极管 二极管的电路符号 点接触型二极管的PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 * 1.2.2二极管的结构和类型 (2)面接触型二极管 (3)平面型二极管 面接触型二极管PN结面积大，用于低频大电流整流电路。 平面型用于集成电路制造工艺，PN结面积可大可小，用于整流和开关电路 * 1.2.3二极管的伏安特性 二极管的电流方程 室温下： 硅Is0.1微安 锗Is几十微安 式中Is为反向饱和电流， VD为PN结两端的电压降，VT=kT/q为温度的电压当量，k为玻尔兹曼常数，q为电子电荷量，T为热力学温度 室温下，T=300K， VT =26mV T=290K， VT =25mV * 1.2.3二极管的伏安特性 二极管的电流方程 正向时 反向时 伏安特性曲线 非线性，不符合欧姆定律 二极管的伏安特性曲线 注意：非线性模型的线性化问题 * 1.2.4二极管的反向击穿特性 PN结加反向电压时 外加电压有一部分降落到PN结区，PN结内电场方向相同，加强了内电场，PN结呈现高阻性，iD基本上为常数。 若反向电压vD过大，流过PN结的电流iD急剧增加，直至发生击穿 电击穿可逆，可制成稳压管 齐纳击穿 雪崩击穿 热击穿 不可逆，毁坏二极管 * 1.2.4二极管的反向击穿特性 电击穿：雪崩击穿 产生条件 掺杂浓度较低的PN结 反向电压足够大 产生机理 对于掺杂浓度低的PN结，空间电荷区足够宽 随场强增大，少子在电场中的漂移速度加快，发生碰撞电离，引起连锁反应 击穿电压V(BR)6V 雪崩击穿电压具有正温度系数 * 电子电路基础 北京邮电大学 电子工程学院 信息与电子技术研究室：王卫东 Email：wangweidong@?? 课件下载网址： * 推荐教材 电子电路基础--刘宝玲--高等教育出版社 模拟电子技术基础（第四版）--华成英、童诗白—高等教育出版社 电子技术基础（模拟部分第五版）--康华光—高等教育出版社 电子线路（第五版）--谢嘉奎--高等教育出版社 * 课程目的 学习常用半导体器件的外部特性，掌握放大、波形变换等单元电路的工作原理、性能特点、基本分析方法 培养对集成电路的运用能力和基本的工程估算能力 * 考察方法 考试——期中考试、期末考试 作业——周一交作业 (请同学们注意，在作业本上要写清自己的姓名、班级及学号) 实验——SPICE * 知识构架 第一章 半导体基础知识及二极管电路 第二章 双极型晶体管及其放大电路 第三章 场效应晶体管及其放大电路 第四章 小信号放大电路的频率特性 第五章 反馈放大电路 第六章 模拟集成电路及其应用 第七章 脉冲信号的产生与处理电路 * 第一章 半导体基础知识及二极管电路 半导体的基本特性 半导体二极管的工作原理及特性 半导体二极管电路 * 能力要求 理解半导体导电载流子的概念 理解PN结及二极管的单向导电性 掌握二极管的模型和伏安特性 熟悉基本的二极管参数 * 1.1 半导体的基本特性 物质根据导电能力(电阻率ρ)的区分 导体 ρ10-3Ω?cm （如金属、人体、石墨、食盐水溶液等） 绝缘体 ρ109Ω?cm （如塑料、陶瓷、天然矿物油、空气等） 半导体 10-3Ω?cm ρ109Ω?cm 常见的半导体材料： 硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs) 某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。 * 1.1 半导体的基本特性 半导体的特性： 半导体的电阻率可以随外界因素的变化而变化，主要表现为： 掺杂特性 热敏特性 光敏特性 * * 1.1 半导体的基本特性 K,L,M等非外层电子数目满足 * 1.1.1本征半导体 什么是本征半导体? 化学成分纯净的半导体 本征半导体的共价键结构 邻近原子的价电子形成共价键，价电子为这些邻近的原子所有，并被其束缚，在空间形成排列有序的晶体。 * 1.1.1本征半导体 本征激发 当温度大于0K时，价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚，激发为自由电子。 电子-空穴对 价电