第三章-第4节-二极管.ppt

第四节 二极管 根据导电性能将物资划分为导体、绝缘体、半导体。 根据构成半导体的材料分为硅材料和锗材料两种半导体 根据掺杂不同将半导体分为P型（）和N型（）半导体 二极管又称晶体二极管由空穴型p型半导体和电子型n型半导体经特殊工艺结合而成，在结合地方形成一个PN结 电路图中用一般用D 表示二极管 电路中图形符号 二极管有正负极，安装时注意方向 PN结很薄 空穴多于电子 电子多于空穴 二极管工作原理 晶体二极管内部有一个由P型半导体和N型半导体 形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层， 形成内电场。当不加电压时，由于PN结两边载流 子浓度差引起的扩散电流和内电场引起少子的漂 移电流相等而处于电平衡状态。 当加有正向电压时，二极管两端外电场抵消内电 场（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V）的作用使载 流子扩散电流增加引起正向电流，二极管导通。 当加反向电压高到一定程度时反向电流会急剧增 大，二极管将失去单向导电特性，这种状态称为 二极管的击穿。 二极管导通门坎电压锗管约为0.3V，硅管约为0.7V 一.P-N结合 (1) (2) 但若将数片P或N型半导体加以适当的组合，则会产生各种不同的物理特性，而使半导体零件的功能更多彩多姿。今天我们要先看看把一块P型半导体与N型半导体结合起来的情况。 PN结工作原理 P型 N型 (3) 当一块P型半导体与N型半导体结合起来时（P型掺杂硼是受主、N型掺杂磷是施主），如下图所示，由于P型半导体中有很多的电洞，而N型半导体中有许多电子，(载流子)所以当P-N结合起来时，结合面附近的电子会填入电洞中，P-N结合起来时，如下图a)所示。 或许你会以为N型半导体中的电子会不断的透过接合面与电洞结合，直到所有的电子或电洞 消失为止。事实上，靠近接合面的N型半导体失去了电子后就变成正离子，P型半导体失去了一些电洞后就变成负离子，如上图(b)所示。 PN结工作原理 此时正离子会排斥电洞，负离子会排斥电子，因而阻止了电子、电洞的继续结合，而产生平衡之状态。 (4) 在P-N接合面(P-Njunction)附近没有载体(电子或电洞)，只有离子之区域称为空乏区(depletioNregion) 。 (5) 空乏区的离子所产生的阻止电子、电洞通过接合面的力量，称为障碍电位(potential barrier) 。障碍电位视半导体的掺杂程度而定，一般而言，Ge 的P-N接合面约为0.2~0.3V，而Si 的P-N接合面约为0.6~0.7V。 二.正向偏压 (1) 若把电池的正端接P型半导体，而把负端接N型半导体，如下图 PN结工作原理 2) 若外加电源E 足够大而克服了障碍电位，则由于电池的正端具有吸引电子而排斥电洞的特性，电池的负端有吸引电洞而排斥电子之特性，因此N型半导体中的电子会越过P-N接合面而进入P 型半导体与电洞结合，同时，电洞也会通过接合面而进入N型半导体内与电子结合，造成很大的电流通过P-N接合面。 (3) 因为电池的负端不断的补充电子给N型半导体，电池的正端则不断的补充电洞给P型半导体，(实际上是电池的正端不断的吸出P型半导体中之电子，使P 型半导体中不断产生电洞) ，所以通过P-N接合面的电流将持续不断。 (4) P-N接合在加上正向偏压时，所通过之电流称为正向电流(IF) 。 PN结工作原理 三.反向偏压 (1) 现在如果我们把电池的正端接N而负端接P，则电子、电洞将受到E之吸引而远离接合面，空乏区增大，而不会有电子或电洞越过接合面产生接合，如下图所示，此种外加电压之方式称为反向偏压。 (2) 当P-N接合面被加上反向偏压时，理想的情形应该没有反向电流(Ir=0)才对，然而，由于温度的引响，热能在半导体中产生了少数的电子─电洞对，而于半导体中有少数载体存在。在P-N接合面被接上反向偏压时，N型半导体中的少数电洞和P 型半导体中的少数电子恰可以通过P-N接合面而结合，故实际的P-N接合再加上反向偏压时，会有一”极小”之电流存在。此电流称为漏电电流，在厂商的资料中多以Ir表之。 [注] ：在实际应用时多将Ir忽略,而不加以考虑。 PN结工作原理 (3) Ir与反向偏压之大小无关，却与温度有关。硅，每当温度升高10℃，IR就增加为原来的两倍。 四.崩溃 (Breakdown) (1) 理想中，P-N接合加上反向偏压时，只流有一甚小且与电压无关之漏电电流Ir.。但是当我们不断把反向电压加大时，少数载体将获得足够的能量而撞击、破坏共价键，而产生大量的电子一对洞对。此新生产之对子及电洞可从大反向偏压中获得足够的能量去破坏其它共价键，这种过程不断重复的结果，反向电流将大量增加，此种现象称为击穿或崩溃。 (2) P-N接合因被加上「过大」