MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究-发光学报.PDFVIP

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2018-06-06 发布于天津
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MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究-发光学报.PDF

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MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究-发光学报

21 1 Vol.21, No. 1 2000 3 CHIN S JOURNAL OF LUMIN SC NC Mar. , 2000 MOCVD 生长的未掺杂GaN 的结晶特性与补偿度关系的研究辛　勇, 熊传兵, 彭学新, 王　立, 姚冬敏, 李述体, 江风益 ( , 330047) : M OCVD GaN , GaN X GaN X , GaN X : GaN; ; X ; MOCVD : O472. 3: A: 1000-7032(2000)01-0033-05 [7] GaN 1　引　　言 GaN X GaN , , [ 8] GaN , : , , GaN GaN 1994 , Nichia GaN , GaN [ 1] (L D) , Nichia 10, 000 , GaN X (LDs) , APA GaN [ 2] ; GaN GaN X GaN , - GaN , 2　实　　验 GaN , GaN 2 3 , 2 3 MOCVD GaN Al O Al O GaN 13. 8% , 23 (4m/ h) [ 3] 25% , , GaN ( 0001) , , Al2O3 , 6 N NH3T MGa 10 - 2 [4] 10 cm N Ga GaN X GaN X , X GaN Cu X 1991 , Nakamura 30kV, 15mA, , [ 5] , 200