大功率LED的热问题.PDF

【环球SMT 与封装】特约稿 吴懿平 博士 武汉光电国家实验室 光电材料与微纳制造部 教授 华中科技大学 连接与电子封装中心 教授/博导 Email: ypwu@public.wh.hb.cn 大功率LED 的热问题 【摘要】作者曾经于本刊2005年第二期发表了一篇题为《半导体照明封装技术》的文章。该文对功率型LED 的 封装特点作了简要的叙述，对正装式LED和倒装式LED两种封装方法作了论述。大功率LED 的结构设计和制造 工艺的瓶颈之一是其散热问题。本文将介绍大功率LED 的产热来源、结温及热阻对LED器件的影响。 【关键词】半导体照明，LED 结温，散热 1 前言 发光二极管(Light Emitting Diode, LED) 问世已有近50 年的历史，从 1962 年的每只LED 光通量仅有 0.001 lm 发展到现在的每只超过 120 lm，器件的工作电流从几个毫安到目前超过 1000 mA，走出传统的指示灯、信号灯 等场合，大功率 LED 已经登上了照明的舞台。但基于目前的半导体制造技术，LED 输入功率中只有大约 5%~10% 的能量转化为光能，其他的则转化为热能。对于大功率LED 来说，其输入功率≧1W，而芯片尺寸则为 1 mm×1 mm ~ 2.5mm×2.5mm ，芯片的功率密度很大，如何控制大功率LED 的热能量，是LED 器件封装和器件应用设 计必须着重解决的核心问题。本文就大功率 LED 的热问题进行综述。以后还会就大功率 LED 的光学设计、封 装技术、多芯片 LED 技术、LED 失效分析等另文介绍相关的研究成果。 2 大功率LED 中热的产生 LED 是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如 GaAs、AlGaInN 、GaAsP 等半导体材料在衬底(蓝宝石、硅或碳化硅等)上通 过 MOCVD 法外延生长而成，通常采用双异质结和量子阱结构，其核心是 PN 结。 PN 结是携带电子的 n 层和携带空穴的 p 层这两种半导体材料之间的过渡层。当p 层加上正向电压而 n 层加 上负向电压，电子就从 n 层流入 p 层，空穴从 p 层迁入 n 层。由于电流注入产生的少数载流子是不稳定的，对 于 PN 结系统，注入到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合，其中多余的能量将以光的形式向外辐射， 从而直接将电能转化为可见光、紫外光或红外光，这就是 LED 发光的基本原理，如图 1 所示。 图 1 LED 的发光原理 然而，并不是每一对电子-空穴对复合都会产生光子，由于 LED 的PN 结作为杂质半导体，存在着材料品质 缺陷、位错等因素以及工艺上的种种缺陷，会产生杂质电离、本征激发散射和晶格散射等问题，使电子从激发 态跃迁到基态时会与晶格原子或离子交换能量而发生无辐射跃迁，也就是不产生光子，这部分能量不转换成光 能而转换成热能损耗在 PN 结内。所以 LED 有一个复合载流子转换成光子的转换效率问题，即内量子效率，LED PN 结有源层的这个电-光转换效率不高，在输入 LED 的电能中，只有约 15%有效复合转化为光，大部分(约 85%) 因无效复合而转化为热。因此，在LED 发光过程中会产生热量。 3 LED 的热特性 2 3.1 LED 的结温 LED 的基本结构是一个半导体的PN 结，当电流流过 LED 器件时，PN 结的温度将上升，在严格意义上， 把 PN 结区的温度定义为 LED 的结温。通常由于其芯片均具有很小的尺寸，因此一般把 LED 芯片的温度视之 为结温。LED 结温高低直接影响到 LED 出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等。保持LED 结温在允许的 范围内，是大功率 LED 芯片制备、器件封装和器件应用等每个环节都必须重点考虑的关键因素，尤其是 LED 器件封装和器件应用设计必须着重解决的核心问题。LED 对温度敏感，一般来说，在结温 125C 以下 LED 才 可以避免性能下降甚至失效。 造成 LED 结温上升的因素有如下几个方面： 1 器件不良的电极结构，窗口层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒 加，构成 LED 器件的串联电阻。当电流流过 PN 结时，同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯片温 度或结温的升高； 2 实践证明，出光效率的限制是导致 LE