拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布-无机材料学报.PDFVIP

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2017-11-11 发布于天津
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拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布-无机材料学报.PDF

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拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布-无机材料学报

第27 卷第6 期无机材料学报 Vol. 27 No. 6 2012 年6 月 Journal of Inorganic Materials Jun., 2012 文章编号: 1000-324X(2012)06-0609-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.00609 拉曼面扫描表征氮掺杂 6H-SiC 晶体多型分布 1,2 1 1 1 1 郭啸 , 刘学超 , 忻隽 , 杨建华 , 施尓畏 (1. 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海200050; 2. 中国科学院研究生院, 北京 100049) 摘要: 采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport, PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为 2 英寸的氮掺杂 6H-SiC 晶体. 采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征, 研究了 SiC 晶体生长过程中多型的产生和演化. 在6H-SiC 晶体中观察到了15R-SiC 和4H-SiC 两种多型. 在拉曼面扫描得到的晶体多型分布图上观察到了两类次多型结构区域, 一类是继承其生长界面上对应的次多型结构形成的次多型结构区; 另一类是由温度、压力等生长条件波动导致在6H-SiC 主多型中出现的 15R-SiC 多型结构区. 第一类次多型结构区中掺入的氮元素较多, 载流子浓度较高, 并且随着晶体生长不断扩大; 第二类次多型结构区对晶体结晶质量的影响较小, 且提高生长温度可以抑制 15R-SiC 多型结构. 关键词: 拉曼; 碳化硅; 多型; 面扫描中图分类号: O761 文献标识码: A Characterization of Polytype Distributions in Nitrogen-doped 6H-SiC Single Crystal by Raman Mapping 1,2 1 1 1 1 GUO Xiao , LIU Xue-Chao , XIN Jun , YANG Jian-Hua , SHI Er-Wei (1. Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China; 2. Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) Abstract: Nitrogen-doped 6H-SiC crystal with t