金属和半导体接触引言金属与半导体接触类型1整流接触.DOCVIP

第七章 金属和半导体接触 引言： 金属与半导体接触类型： 整流接触：金属与轻掺杂半导体形成的接触表现为单向导电性，即具有整流特性，但电流通常由多子所荷载。由于这种器件主要靠电子导电，消除了非平衡少子的 存储，因而频率特性优于p–n结；又由于它是在半导体表面上形成的接触，便于散热，所以可以做成大功率的整流器；在集成电路中用作箝位二极管，可以提高集成电路的速度，通常称为肖特基势垒二极管，简称肖特基二极管。 欧姆接触：这种接触正反向偏压均表现为低阻特性，没有整流作用，故也称为非整流接触。任何半导体器件最后都要用金属与之接触并由导线引出，因此，获得良好的欧姆接触是十分必要的。 §7.1 金属半导体接触及其能带图 本节内容： 金属和半导体的功函数 接触电势差 阻挡层与反阻挡层 表面态对接触势垒的影响 课程重点：金属的功函数：在绝对零度的电子填满了费米能级以下的所有能级，而高于的能级则全部是空着的。在一定温度下，只有附近的少数电子受到热激发，由低于的能级跃迁到高于的能级上去，但是绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外，这说明金属中的电子虽然能在金属中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子从金属中逸出，必须由外界给它以足够的能量。所以，金属内部的电子是在一个势阱中运动。用表示真空中静止电子的能量，金属功函数的定义是与能量之差，用表示，即 它表示一个起始能量等于