奈米碳管系统内的自旋效应-台大物理系.pdfVIP

奈米碳管系統內的自旋效應 Spin surprise in Carbon nanotube 張慶瑞，陳建良，蘇又新 臺灣大學物理學系 摘要: 分子自旋電子學近來在物理學界引起廣泛興趣，其中以低維度石墨系統最受矚目， 主要原因除了單層石墨結構所引起的線性能量色散關係，另一方面，電子自旋在石墨材 料裡面 spin lifetime較長，因此在磁儲存或是量子計算上有極高的應用潛力，本文並將 針對石墨碳管內兩個自旋相關的重要機制加以介紹，一是自旋軌道耦合交互作用，另一 是超精細交互作用，最近實驗上發現這兩個作用皆比預期還大，前者提供奈米碳管內電 性操控電子自旋，後者的發現提出石墨記憶體發展的可能性。 一、前言: 常線性能量色散關係所導致在室溫下極 1988 年巨磁阻(Giant Magneto- 高的 mobility 之外，碳原子是一個比較輕 -resistance, GMR)的發現開啟了自旋電子 的原子(和一般半導體組成原子相比，例 學(Spintronics)1 ，在這新興學門科學家們 如: 砷化鍺 GaAs )，自旋軌道耦合作用 主要的興趣是研究電子自旋，由於自旋跟 (spin-orbit coupling)相對較弱；另一方面， 磁性有著密不可分的關係，所以充分了解 石墨系統主要是由碳 12 12 C原子所組成， C 自旋有助於對磁性物質的應用以及製 的原子核自旋為零，沒有超精細交互作用 造。 GMR已廣泛應用在硬碟的讀頭以及 (Hyperfine interaction 電子自旋和鄰近原 磁電阻式隨機存取記憶 (MRAM) 。而GMR 子核自旋之間的交互作用)產生，因此電 發現者法國巴黎第十一大學第的艾爾 子在石墨材料有較長的 spin lifetime 。由 伯、費爾 (Albert Fert)教授和德國尤利希研 此，理論上預測在此系統中會有非常大的 究中心的皮特、葛倫伯格 (Peter Grünberg) GMR和 TMR(Tunneling Magnetoresistance) 教授也在 2007 年獲瑞典皇家科學院諾貝 效應，實驗方面，在過去幾年中低維石墨 爾獎委員會授予諾貝爾物理獎。 系統內自旋傳輸的課題上有多項具有前 近二十年來，科學家對自旋電子學的 景的實驗結果一一被發表，其中 A. Fert 興趣開始從金屬材料推廣到半導體材 教授研究團隊以奈米碳管為通道量測鐵 料。最近，由於奈米製程技術的進步，自 磁電極平行與反平行的相對電阻差超出 旋電子學更在分子系統上出現了許多有 60~70% ，這遠比以半導體為通道還來的 趣的物理研究課題，統稱分子自旋電子學 大，也因此，目前這個在這類課題的研究 (Molecular Spintronics) 。其中最引人注意 相當活躍。 的就是石墨材料所製成的低維度奈米系 在自旋電子學領域中，除了自旋的維 統，例如:奈米碳管(Carbon nanotube) 、單 持相當重要，另一個重點就是操作自旋 層石墨 (Graphene)2 ，它們皆為碳分