石墨烯合成的方法.pptxVIP

组会报告 CVD法制备石墨烯 除胶退火 红外光谱测试 铜箔的制备 去除表面的有机物、无机物杂质 丙酮：溶解有机物 去离子水：溶解无机物 乙醇：使丙酮和水互溶 去除表面氧化铜 乙酸：与氧化铜反应 电化学抛光 抛光液 表面微观凸出部分较薄，电流密度较大，金属溶解较快；表面微观下凹处较厚，电流密度较小，金属溶解较慢。从而达到抛光的目的。 去离子水清洗，丙酮容易保存 CVD制备石墨烯原理 CVD（Chemical Vapor Deposition）为化学气相沉积法 表面自限制机理：对于铜等具有较低溶碳量的金属基体 ,高温下气态碳源裂解生成的碳原子吸附于金属表面, 进而成核生长成 “石墨烯岛 ”,并通过“石墨烯岛 ”的二维长大合并得到连续的石墨烯薄膜 二维晶核式生长：一定数量的碳原子形成的原子集团经过能量涨落同时落在铜箔上，周围形成台阶， 其他裂解的碳原子会优先在台周围生长，从而得到二维结构。 石墨烯的 CVD生长主要涉及三个方面：碳源、生长基体和生长条件(气压、载气 、温度等) 单层石墨烯的透光率为 97.7%，可作为一种检测方法？ Ar破真空，降温 H2提供还原气氛退火及反应 可调控的参数： 铜箔表面平整程度 退火，反应的时间和温度 三种气体的比例 CH4、Ar、H2 退火目的：除胶（PMMA） PMMA可溶于丙酮等有机溶剂 ——先用丙酮溶解 ——残余退