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《等离子体物理学》 论文 论文题目：离子注入的应用 专 业：核工程与核技术 专业方向：光 电 探 测 科任教师： 姓 名： 学 号：200 日 期：2012年11月21日  离子注入技术是参杂工艺中引入杂质的一种新方法。它是继扩散工艺之后的一门新技术。在扩散工艺的基础上有更为突出的优点，具有可观的发展前景，势必会有更为广泛的应用。本次论文主要对象是离子注入技术的原理应用前景。 一.离子注入原理、离子注入机及工作特点： 1.1离子注入原理： 离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速（对Si，电压≥105 V），获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处。 1.2离子束加工原理： 离子束加工（ion beam machining，IBM）是在真空条件下利用离子源（离子枪）产生的离子经加速聚焦形成高能的离子束流投射到工件表面，使材料变形、破坏、分离以达到加工目的。 因为离子带正电荷且质量是电子的千万倍，且加速到较高速度时，具有比电子束大得多的撞击动能，因此，离子束撞击工件将引起变形、分离、破坏等机械作用，而不像电子束是通过热效应进行加工。 1.3离子注入机： 离子注入是在一种叫离子注入机的设备上进行的。离子注入机是由于半导体材料的掺杂需要而于上世纪60年代问世。虽然有一些不同的类型，但它们一般都由以下几个主要部分组成：（1）离子源，用于产生和引出某种元素的离子束，这是离子注入机的源头；（2）加速器，对离子源引出的离子束进行加速，使其达到所需的能量；（3）离子束的质量分析（离子种类的选择）；（4）离子束的约束与控制；（5）靶室；（6）真空系统。 1. 4.氮注入机，只能产生气体束流（几乎只出氮)： 主要用于工具的注入。其优点如下:a.操作维修简单。(1)束流高。(2)可以制成巨型的机器。 缺点是：(1)束流均匀性一般较差（但通常可满足工具的处理）。(2)离子束组分的相对分量不稳定，且其能量和剂量也不能确定。(3)因为离子源一般靠近靶室，在处理过程中靶室压强较高，会使处理表面氧化。(4)处理复杂形状时要求工件翻转。 1.5离子束加工特点： （1）加工精度高。因离子束流密度和能量可得到精确控制。（2）在较高真空度下进行加工，环境污染少。（3）特别适合加工高纯度的半导体材料及易氧化的金属材料。（4）加工应力小，变形极微小，加工表面质量高，适合于各种材料和低刚度零件的加工。(5)离子束加工方式包括离子蚀刻、离子镀膜及离子溅射沉积和离子注入等。 二：离子注入技术与扩散工艺相比较的优缺点： 2.1离子注入优点: （1）精确的剂量控制。（2）注入杂质的深度与杂质剂量可独立控制。 （3）它是一种纯净的无公害的表面处理技术。（4）无需热激活，无需在高温环境下进行，因而不会改变工件的外形尺寸和表面光洁度。（5）离子注入层由离子束与基体表面发生一系列物理和化学相互作用而形成的一个新表面层，它与基体之间不存在剥落问题。（6）离子注入后无需再进行机械加工和热处理。 2.2 离子注入缺点是： （1） 束流一般较小。（2）机器昂贵且复杂，需专门人员操作和维修。（3）处理复杂形状时，要求样品翻转。 2.3两者对比: 与扩散工艺相比较，离子注入技术对注入杂质的剂量控制更为精确。随着器件尺寸的减小，阱深的缩小，专门的杂质扩散工艺可能会消失。而离子注入技术势必会崭露头角成为引进杂质工艺的中流砥柱。 离子注入技术的特点： （1）离子注入是一个非平衡过程，注入元素不受扩散系数、固溶度和平衡相图的限制，理论上可将任何元素注入到任何基体材料中去。（2）注入层与基体之间没有界面，系冶金结合，改性层和基体之间结合强度高、附着性好。（3）高能离子的强行射入工件表面，导致大量间隙原子、空位和位错产生，故使表面强化，疲劳寿命提高。（4）离子注入是在高真空和较低的工艺温度下进行，因此工件不产生氧化脱碳现象，也没有明显的尺寸变化，故适宜工件的最后表面处理。 离子注入技术的缺点：（1）形成超深的杂质分布比较困难。（2）退火无法使所有的损伤消除。（3）杂质含量比扩散工艺高。（4）设备昂贵。 四：离子注入技术的应用: