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数字,电路,存储器数字,电路,存储器数字,电路,存储器
存储矩阵是一个或逻辑阵列。 ROM的阵列图 或阵列 与阵列 有二极管 无二极管 22.1.3 ROM的阵列图 22.1.3 ROM的阵列图 ROM阵列图中地址译码器和存储矩阵的行线和列线交叉处的二极管已用圆点 “ ? ” 代替。 ROM的阵列图可以很直观地表示出地址译码器和存储矩阵之间对应的逻辑关系。 例:当地址码为A1A0 = 10时, 译码器输出 同时字线W1 = 1,该字线上两个交叉点有圆点( 存1),另两个交叉点无圆点( 存0),ROM输出的信息为 D3D2D1D0 = 1100 ROM的简化阵列图 双极型晶体管和MOS场效应管构成的存储矩阵 双极型存储矩阵 存 1 存 0 双极型晶体管和MOS场效应管构成的存储矩阵 1 0 0 0 1 1 0 1 选中 导通 MOS型存储矩阵 1 0 0 0 选中 0 0 1 0 1 1 0 1 导通 1. ROM构成的全加器 22.1.4 ROM的应用举例 在数字系统中ROM的应用十分广泛,如用于组合逻辑、波形变换、字符产生以及计算机的数据和程序存储等。 输入变量 A─加数 B─加数 C0 ─低位进位数 输出变量 S ─本位和数 C0 ─本位向高位进位数 用ROM构成全加器的逻辑状态 由表可得 用ROM构成的全加器阵列图 2. ROM构成的序列脉冲发生器 采用计数器和ROM来实现。 例:要产这一8位序列脉冲。 在脉冲 CP的作用下, W0 ~ W7依次被选中, 依次输 用ROM构成的序列脉冲发生器 工作波形 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 CP D 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 3. ROM构成的字符发生器 22.1.4 ROM的应用举例 字符发生器常用于显示终端、打印机及其他一些数字装置。将各种字母、数字等字符事先存储在ROM的存储矩阵中,再以适当的方式给出地址码,某个字符就能读出来,并驱动显示器显示。 下面用ROM构成的字符发生器显示字母 R来说明其工作原理。 用ROM构成字符发生器 (b) 由图可看出该字符发生器由 7 行 5 列构成存储矩阵,将字母 R 的形状分割成若干部分并在相应的单元存入信息 1 。当地址输入由000~110周期地循环变化时,即可逐行扫描各字线,把字线 W0 ~ W7 所存储的字母 R 的字形信息从位线 D0~ D4 读出,使显示设备一行行地显示出图 (b)的字形。 闪存的一种限制在于即使它可以单一字节的方式读或写入,但是抹除一定是一整个区块 * 第22章 存储器 22.1 只读存储器 ROM 22.2 随机存储器 RAM 半导体存储器分类: 按功能 只读存储器(ROM) 随机存储器(RAM) Random Access Memory 按元件 双极型晶体管存储器:速度快,功耗大。 MOS型场效晶体管存储器:速度较慢,功耗小,集成度高。 磁盘、磁带、光盘 高速缓冲存储器(Cache) Flash Memory 存 储 器 主存储器 辅助存储器 MROM PROM EPROM EEPROM RAM ROM 静态 RAM 动态 RAM 3. 按在计算机中的作用分类 高 低 小 大 快 慢 辅存 寄存器 缓存 主存 磁盘 光盘 磁带 光盘 磁带 速度 容量 价格 位 / 1. 存储器三个主要特性的关系 存储器的层次结构 CPU CPU 主机 只读存储器(ROM) 1. 掩模 ROM ( MROM ) 行列选择线交叉处有 MOS 管为“1” 行列选择线交叉处无 MOS 管为“0” 2. PROM (一次性编程) VCC 行线 列线 熔丝 熔丝断 为 “0” 为 “1” 熔丝未断 3. EPROM (多次性编程 ) (1) N型沟道浮动栅 MOS 电路 G 栅极 S 源 D 漏 紫外线全部擦洗 D 端加正电压 形成浮动栅 S 与 D 不导通为 “0” D 端不加正电压 不形成浮动栅 S 与 D 导通为 “1” S G D N + N + P 基片 G D S 浮动栅 SiO 2 + + + + + _ _ _ 可改写型只读存储器(EPR
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