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电工材料 2014 No.5 王小军等:三种CuCr 触头材料对真空灭弧室投切背靠背电容器组性能的影响 3
研究·分析
三种CuCr 触头材料对真空灭弧室
投切背靠背电容器组性能的影响
1 1 1 1 2 3 3 3
王小军 ,刘 凯 ,王文斌 ,艾 璇 ,张颖瑶 ,杨 和 ,李永辉 ,刘志远
(1. 陕西斯瑞工业有限责任公司,西安 710049 ;2. 同济大学,上海 201804 ;
3. 西安交通大学 电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049 )
摘要:为研究三种不同触头材料(真空熔渗CuCr50、真空熔铸CuCr40Te0.005、电弧熔炼CuCr50)对真
空灭弧室投切背靠背电容器组性能的影响,将采用三种不同材料制备的触头各装配在三只相同的12
kV 等级真空灭弧室中,每只真空灭弧室经过80 次背靠背电容器组合分操作,高频涌流设定为幅值
8 kA 、频率3.8 kHz 。结果表明:真空熔渗CuCr50、真空熔铸CuCr40Te0.005 以及电弧熔炼CuCr50 的平
均重击穿概率分别为6.7% 、5.8% 、8.3% ,重击穿现象主要发生于恢复电压持续时间的1/4T 与10T 之间
(T 表示恢复电压周期20 ms);复燃现象多次出现,真空熔铸CuCr40Te0.005(1次) 电弧熔炼CuCr50(9
次)真空熔渗CuCr50(10次)。
关键词:真空灭弧室;触头材料;背靠背电容器;高频涌流;重击穿
+ +
中图分类号:TM501 .3 ;TM561.5 ;TG 146.1 1 文献标志码:A
文章编号:1671-8887(2014 )05-0003-05
Effects of Three CuCr Contact Materials
on Properties of Back-to-back Capacitor
Banks Switching Performance in Vacuum Interrupters
1 1 1 1
WANG Xiao-jun , LIU Kai , WANG Wen-bin , AI Xuan ,
2
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