数字电子技术课件作者陈晓文第8章节.ppt

8.3.2 可编程阵列逻辑PAL PAL是可编程与阵列、固定或阵列和固定输出的可编程器件。 PAL和SSI、 MSI通用标准器件相比有许多优点，如提高了功能密度，节省了空间。 通常一片PAL可以代替 4~12 片 SSI或 2~4 片MSI。虽然PAL只有 20 多种型号，但可以代替 90% 的通用SSI、MSI器件，因而进行系统设计时，可以大大减少器件的种类。PAL还提高了设计的灵活性，且编程和使用都比较方便。 PAL有上电复位功能和加密功能，可以防止非法复制。 PAL的主要缺点是，它采用了双极型熔丝工艺(PROM结构)，只能一次性编程，因而使用者仍要承担一定的风险。另外PAL器件输出电路结构的类型繁多，因此也给设计和使用带来一些不便。 8.3.3 通用阵列逻辑GAL GAL采用了电擦除、电可编程的E2CMOS工艺制作，可以用电信号擦除并反复编程上百次。GAL器件的输出端设置了可编程的输出逻辑宏单元(OLMC)，通过编程可以将OLMC设置成不同的输出方式。这样，同一型号的GAL器件可以实现PAL器件所有的各种输出电路工作模式，即取代了大部分PAL器件， 因此称为通用可编程逻辑器件。 GAL器件分两大类：一类为普通型GAL，其与或阵列结构与PAL相似，如GAL16V8、ispGAL16Z8、GAL20V8都属于这一类；另一类为新型GAL，其与或阵列均可编程，与PLA结构相似，主要有GAL39V8。 8.3.4 高密度可编程逻辑器件简介 20世纪80年代后期，出现的复杂可编程逻辑器件CPLD、现场可编程门阵列FPGA属于高密度可编程逻辑器件。同PAL、GAL相比，CPLD/FPGA的规模比较大，可以代替几十甚至上千片通用IC芯片，具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定、可实时在线检验等优点。几乎所有应用门阵列、PLD和中小规模通用数字集成电路的场合均可应用CPLD/FPGA器件。 半导体存储器由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数0或1。半导体存储器可分为只读存储器ROM和随机存取存储器RAM两大类。 存储器的容量用存储单元的数目来表示，写成“字数 位数”的形式，也习惯用K（1K=1024）为单位来表示。 只读存储器ROM通常用来存放永久性的数据，工作时只能读出信息，不能随时写入信息。ROM分为固定ROM与可编程ROM。可编程ROM又分为PROM、EPROM、E2ROM。 8.4 本章小结 随机存储器RAM由存储矩阵、译码器和读/写控制电路组成。RAM可随时、快速地读出或写入数据，但断电后，所存数据全部丢失。RAM可分为静态RAM和动态RAM。 可编程逻辑器件 PLD的出现是数字系统的设计方法发生了革命性的变化。PLD器件常用的有PLA、PAL和GAL等类型。 尚辅网 / 第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件 8.1 只读存储器 8.2 随机存取存储器 8.3 可编程逻辑器件 半导体存储器 只读存储 器ROM 随机存取存 储器 RAM 用来存储大量二值（0或1）数据信息 　　ROM 在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息，断电后其数据不会丢失。常用于存放程序、常数、表格等。 　　RAM 既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息，断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。 8.1 只读存储器 按数据写入方式不同分 掩模 ROM 写入的数据可电擦除，用户可以多次改写存储的数据。使用方便。 其存储数据在制造时确定，用户不能改变。用于批量大的产品。 其存储数据由用户写入。但只能写一次。 写入的数据可用紫外线擦除，用户可以多次改写存储的数据。 可编程 ROM 光可擦除可 编程EPROM 电可擦除可编程 E2PROM 一次可编程 PROM ROM器件按制造工艺可分为二极管、双极型和MOS型。 8.1.1 固定只读存储器（掩膜ROM） 1．ROM结构 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成，其基本结构如图8-1所示。 图8-1 ROM的基本结构 n条地址线 2n条字线 m条位线 每个字中信息的位线数称为字长。字长为8位数的字称为一个字节（byte，简写B） 2．ROM存储单元 ROM的存储单元可以用二极管构成，也可以用双极型三极管或MOS管构成。 存