半导体三极管SemiconductorDiode.DOCVIP

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半导体三极管SemiconductorDiode

第三章 放大电路基础 3.1 放大电路的基本知识 教学要求. 一、放大电路的组成 ?1.电路组成方框图 ?图中信号源提供需放大的电信号,可由换能器提供,也可是前一级电路的输出信号;负载接受输出信 号,可由输出换能器构成,也可为下一级电路的输入电阻;直流电源给放大电路提供能量;放大电路进行信号放大,一般由基本放大单元组成的多级放大电路,如上图(c)所示。 ? 二、放大电路的主要性能指标1.放大倍数量放大电路的放大能力。 ??? 3.输出电阻其中,uot uo 带负载时的输出电压,Ro 越小,uot 和 uo 越接近。 ??? 4.通频带与频率失真大电路中含有的电抗元件(外接或有源器件内部寄生)使放大电路对不同频率的输入信号有 不同的放大能力,这就是放大电路的频率特性,可分为幅频特性和相频特性。幅频特性和相频特性: ??????? ,???? Au( f ) ( ( f ) 为 相频特性 频带宽度(带宽)BW:??当放大倍数下降到最大放大倍数的0.7倍时低端频率和高端频率称为放大电路的下限频率和上 限频率,分别用fH和fL表示。? BW0.7 (Band Width)= fH – fL 5.最大输出功率和效率 ?????? 3.2 三种基本组态放大电路 教学要求 一、共发射极放大电路 (一)电路的组成流电源VCC通过RB1B2、RC、RE使三极管获得合适的偏置,为三极管的放大作用提供必要的条件,RB1B2称为基极偏置电阻,RE称为发射极电阻,RC称为集电极负载电阻,利用RC的降压作用,将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化,从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE,称为发射极旁路电容,用以短路交流,使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响,故要求它对信号频率的容抗越小越好,因此,在低频放大电路中通常也采用电解电容器。 ?? VCC(直流电源) ? 使发射结正偏,集电结反偏;向负载和各元件提供功率 ?? C1、C2(耦合电容) ? 隔直流、通交流; ?? RB1 、RB2(基极偏置 电阻): ? 提供合适的基极电流 ?? RC(集电极负载电阻): ? 将 (IC ( (UC ,使电流放大 ( 电压放大 ?? RE(发射极电阻): ? 稳定静态工作点“Q ” ?? CE(发射极旁路电容): ? 短路交流,消除 RE 对电压放大倍数的影响 (二)直流分析开放大电路中的所有电容,即得到直流通路,如下图所示,此电路又称为分压偏置式工作点 稳定直电流通路。电路工作要求:I1 ( (5 ( 10)IBQUBQ ( (5 ( 10)UBEQ ????求静态工作点Q: ????方法1.估算 ? 工作点Q不稳定的主要原因:Vcc?稳定Q点的原理:????????????????????????? ?????方法2. IBQ ? (三)性能指标分析?将放大电路中的C1、C2、CE短路,电源VCC短路,得到交流通路,然后将三极管用H参数小信号 电路模型代入,便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。 电压放大倍数??????????????????????? 输入电阻??????????????????????? 3.输出电阻???????????????????? Ro = RC ?????? ?没有旁路电容CE时: ?????1.电压放大倍数 ?????????????????????? ???????源电压放大倍数 ???????????????????????? ?????2.输入电阻 ???????????????????? ?????3.输出电阻????????????? Ro = RC 共集电极放大电路如下图(a)所示,图(b)、(c)分别是它的直流通路和交流通路。由交流通路看,三极管的集电极是交流地电位,输入信号ui和输出信号uo以它为公共端,故称它为共集电极放大电路,同时由于输出信号uo取自发射极,又叫做射极输出器。 IBQ = (VCC – UBEQ) / [RB +(1+ (?? RE] ????? ICQ = (?I BQ ? UCEQ = VCC – ICQ RE (二)性能指标分析 ??????????????? ????? 1.电压放大倍数 ??????? ???????2.输入电阻 ???????? ??????? ??? R(L = RE // RL ??????? 3.输出电阻 ??????? ??????? 共集电极电路特点???????????????????????????????????????????????????????? 共集电极电路用途 ??????? 1. Uo与Ui同相,具有电压跟随作用???????????? 1.

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