有源层表面性质对晶硅电池暗IV特性的影响-电子元件与材料.PDFVIP

第36 卷 第1 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.36 No. 1 20 17 年1 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jan. 20 17 研 究 与 试 制 有源层表面性质对晶硅电池暗I- V特性的影响 陆晓东，宋 扬，王泽来，赵 洋，张宇峰，吕 航，张金晶 （渤海大学 新能源学院，辽宁 锦州 121000） 摘要: 利用有限差分法求解半导体器件基本方程，研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。 研究表明：当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷，且三者起施主型和受主型陷阱作 用时，正向偏压下的晶硅电池暗 I-V 特性曲线与理想二极管I-V 特性曲线相同，但当正向偏压大于 PN 开启电压 0.59 V ，晶硅电池暗I-V 特性曲线将偏离理想二极管I-V 特性曲线，且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增 大；当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时，晶硅电池暗 I-V 特性曲线将偏离理想二极管 I-V 特性曲线；就对 暗I-V 特性曲线的影响而言，复合中心最大，施主型次之，受主型最小。 关键词: 晶硅电池；暗I-V 特性曲线；理想因子；总电流密度；缺陷态；有限差分 doi: 10.14106/ki.1001-2028.2017.01.010 中图分类号: TM914.4 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （20 17）01-0051-06 Influences of active layer surface properties on dark I- V characteristics of crystalline silicon solar cell LU Xiaodong, SONG Yang, WANG Zelai, ZHAO Yang, ZHANG Yufeng, LYU Hang, ZHANG Jinjing (College of New Energy, Bohai University, Jinzhou 121000, Liaoning Province, China) Abstract : The influences of surface dangling bonds, impurities and defects on the output parameters of crystalline silicon solar cell were discussed by solving semiconductor device equations by finite difference method. The results show that the dark I-V characteristic curves of the crystal silicon cell without bulk defects and surface defects or only with donor-like or acceptor-like surface dangling bonds, impurities and defects, are the s