- 1、本文档共51页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
多晶硅工艺生产技术
姓名:
日期:2012年12月11日目 录
目 录 I
摘 要 II
第一章 多晶硅的认识和产品的用途 1
一、什么是多晶硅 1
二、什么是半导体 1
三、纯度表示法 1
四、多晶硅产品的用途 1
第二章 多晶硅的生产方法 2
一、锌还原法(杜邦法) 2
二、四氯化硅氢还原法(贝尔法) 2
三、三氯氢硅热分解法(倍西内法) 3
四、三氯氢硅氢还原法(西门子法) 3
五、硅烷热分解法 3
六、改良西门子法 3
第三章 改良西门子法工艺 3
一、发展历程 3
二、改良西门子法归纳起来有三大特点 4
三、工艺生产化学反应方程式 4
第四章 多晶硅生产的工艺过程 4
一、合成部分 4
1、液氯汽化 4
2、HCL合成 6
3、三氯氢硅合成 8
二、提纯部分 11
三、氢化还原部分 15
1、还原工序 15
2、四氯化硅氢化 18
四、回收部分 21
五、公用辅助部分 27
第五章 多晶硅工艺的主要控制 27
一、还原炉的自动和联锁控制 27
二、尾气回收吸附塔的顺序控制 32
第六章 结束语 48
摘 要
多晶硅是硅产业链中一个极为重要的中间产品,主要用作半导体原料、最终用途主要是生产集成电路和太阳能电池片等,多晶硅行业的大力发展对普及太阳能的利用和半导体的利用有着很大的推动作用。本文主要是对多晶硅的工艺生产介绍,首先通过对多晶硅产品的认识和用途进行了初步的了解,再通过对多晶硅的发展历程和当前多晶硅生产的主流工艺进行介绍,进而通过对多晶硅生产过程各个工段的工艺和重点控制介绍的方法,详尽的阐述了多晶硅的生产工艺之生产的闭环性和控制的复杂和稳定性。通过这样的说明,使得大家最终了解多晶硅,认识多晶硅和多晶硅的生产工艺,从而了解多晶硅生产过程。
关键字:多晶硅、改良西门子法、还原炉
第一章 多晶硅的认识和产品的用途
一、什么是多晶硅
我们所说的多晶硅是半导体级多晶硅,或太阳能级多晶硅,它主要是用工业硅或称冶金硅(纯度98-99%)经氯化合成生产硅氯化物,将硅氯化物精制提纯后得到纯三氯氢硅,再将三氯氢硅用氢进行还原生成有金属光泽的、银灰色的、具有半导体特性产品,称为半导体级多晶硅。
二、什么是半导体
所谓半导体是界于导体与绝缘体性质之间的一类物质,导体、半导体与绝缘体的大概分别是以电阻率来划分的,见表1。
表1 导体、半导体与绝缘体的划分
名 称 电 阻 率(Ω.Cm) 备 注 导体 <10-4 <0.0001 Cu, Ag, AL等 半导体 10-4~109 0.0001~1000000000 Si, Ge, GaAs等 绝缘体 >109 >1000000000 塑料,石英,玻璃,橡胶等 三、纯度表示法
半导体的纯度表示与一般产品的纯度表示是不一样的,一般产品的纯度是以主体物质的含量多少来表示,半导体的纯度是以杂质含量与主体物质含量之比来表示的。见表2。
表2 纯度表示法
1% 1/100 10-2 2N 百分之一(减量法,扣除主要杂质的量后) 1PPm 1/1000000 10-6 6N 百万分之一 1PPb 1/1000000000 10-9 9N 十亿分之一 1PPt 1/1000000000000 10-12 12N 万亿分之一 四、多晶硅产品的用途
半导体多晶硅本身用途并不大,必须要将多晶硅培育成单晶硅,经切、磨、抛制成硅片(又称硅圆片),在硅片上制成电子元件(分立元件、太阳能能基片、集成电路或超大规模集成电路),才能有用。
硅由于它的一些良好的半导体性能和丰富的原料,自1953年硅作为整流二极管元件问世以来,随着工艺技术的改革,硅的纯度不断的提高,目前已发展成为电子工业中应用最广泛的一种半导体材料。在最初由于制造硅材料的技术问题,半导体多晶硅纯度不高,只能作晶体检波器(矿石收音机,相当于二极管).随着材料制造工艺技术的不断改进与完善,材料纯度不断提高,制造成功各种半导体器件,从晶体管、整流元件、太阳能电池片到集成电路到大规模集成电路和超大规模集成电路,才使硅材料得到广泛的用途。
半导体多晶硅是单晶硅的关键原材料,制成单晶硅后通过切、磨、抛工序制成硅片,在硅片上进行半导体器件的制造,(通过扩散、光刻、掺杂、离子注入------等许多工序)即集成电路(管芯或称为芯片、基片)。由于大规模集成电路和超大规模集成电路技术的突破,半导体器件得到飞速发展,在各行各业得到广泛的应用如军事、航天、航空、航海和信息技术上等等。
第二章 多晶硅的生产方法
半导体多晶硅的生产的起步在20世纪40-50年代,但发现硅的一些半导体特性是比较早的(1930年),多晶硅生产工艺的发明与完善经历了慢长时间的探索。
一、锌还原法(杜邦法)
美国杜邦公司于1865年发明
您可能关注的文档
- 毕业论文(设计)5W@77K气体轴承斯特林制冷机研究.doc
- 毕业论文(设计)4kW有机朗肯循环系统实验及仿真研究.doc
- 毕业论文(设计)10-甲基吩噻嗪在碳酸二甲酯溶液中的扩散系数测量.docx
- 毕业论文(设计)-60℃温区精馏型自复叠制冷系统R41替代R23的理论与实验研究.docx
- 毕业论文(设计)CO2+DME混合体系跨临界吸收式动力循环热转换机理.doc
- 毕业论文(设计)CaCl2与LiCl混合溶液蒸汽压测量与分析.doc
- 毕业论文(设计)CO2正癸烷正十二烷的界面张力实验研究.doc
- 毕业论文(设计)H2OCO2喷射-压缩复叠式制冷系统热力性能研究.docx
- 毕业论文(设计)HFO-1234yf热解的反应分子动力学模拟.doc
- 毕业论文(设计)HFO1234ze(E)与异三十烷相平衡的实验与理论研究.doc
最近下载
- DELIXI德力西仪表JKL5CV JKL2CV智能无功功率自动补偿控制器使用说明书 物料号:A0463099500.pdf
- 道路亮化工程项目可行性研究报告.docx
- 幼儿园必备《师德师风培训》-2024鲜版.ppt
- 新北师大版四年级数学上册《认识更大的数》练习题.pdf
- 【西南大学】[机考][0087]《计算机网络》 (3)辅导资料.doc VIP
- 四川327省考行测真题及解析.doc
- (冀教版)八年级生物下册全教案.pdf VIP
- 广东省汕头市2022-2023学年高一下学期期末考试历史试题(解析版).docx
- 专题 事件类记叙文(记叙文阅读)(原卷版).doc VIP
- 颜料红177的制备工艺分析-analysis of preparation technology of pigment red 177.docx
文档评论(0)