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干法刻蚀工艺对TFTGLCDFlicker改善的研究
第 卷 第 期 液晶与显示
３０ ６
Vol．３０ No．６
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１５ １２ Dec．２０１５
文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１５０６Ｇ０９０４Ｇ０５
干法刻蚀工艺对TFTＧLCDFlicker改善的研究
∗
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李 鑫 卞丽丽 陈 曦 吴成龙 贠向南
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福州京东方光电科技有限公司 福建 福州 ３５０３３０
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摘要 为了对 中的闪烁不良进行改善 本文通过研究 中干法刻蚀 对 特性的影响
TFTＧLCD TFTＧLCD N lusEtch TFT
p
( 、 ) , . , : /
以此对刻蚀条件 PowerGas进行优化 达到降低 PhotoＧI的目的 实验结果表明 当干法刻蚀主工艺条件为 Source
off
/ 、 、 / / / , 条件为: / / 、 、 /
Bias＝４k５kPress＝９０mTSF O＝１１k３kmlminATSte SourceBias＝２k２kPress＝１００mT SF
６ ２ p ６
/ / , , .
时 由量产最初的 降至 闪烁由 降至 以下 干法刻蚀工艺条
O＝３k３kmLmin PhotoＧI ５８１５ ２０５２ １５％~３０％ １０％
２ off
件的优化对 TFT特性以及闪烁有明显改善效果.
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关 键 词 干法刻蚀 特性 闪烁改善
TFT
中图分类号: 文献标识码: : /
TN１４１９ A doi１０．３７８８YJYX０９０４
Im rovementofflickerTFTＧLCDb dretchin rocess
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