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用自制总积分散射仪评估SiC基底表面改性效果.PDF
第 卷 第 期 光学 精密工程
１６ １０
Ｖｏｌ．１６ Ｎｏ．１０
Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ
年 月 ｐ ｇ ｇ
２００８ １０ Ｏｃｔ．２００８
文章编号 （ ）
１００４９２４Ｘ２００８１０１８４１０６
用自制总积分散射仪评估ＳｉＣ基底表面改性效果
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１２ １ １２ １ １２ １
申振峰 ，高劲松 ，陈 红 ，王笑夷 ，王彤彤 ，郑宣鸣
（ 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 ；
１． １３００３３
２．中国科学院 研究生院，北京 １０００４９）
摘要：根据总积分散射理论自制了半球式总积分散射仪，建立了系统规范的测试方法，并应用其对工程中ＳｉＣ基底表面
改性的效果进行了相关检测和评估。改性后 和 基底的散射系数分别降低到 和 ，已接近于抛
ＲＢＳｉＣ ＳＳｉＣ ２．８６％ １．５３％
光良好的微晶玻璃的水平（ ）。该散射仪的优点是操作简单、方便快捷、不接触样品、对表面无损害。通过对测试
１．３８％
数据的分析可知，从散射特性角度对 ＳｉＣ基底表面改性效果进行评估是合理有效的。把相关测试结果与分光光度计的
测试结果对比，测量偏差在 １．１％左右，说明该总积分散射仪的测试结果准确可靠。
关 键 词：总积分散射仪； 反射镜；表面改性
ＳｉＣ
中图分类号： ； 文献标识码：
０４８４．４ＴＮ３０７ Ａ
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