肖特基整流二极管设计文件A.doc

肖特基整流二极管设计文件 研制肖特基整流二极管芯片有仿制和自主设计开发两种途径，本文件分别叙述。 一．仿制 肖特基整流二极管不是新发明的器件，它已大规模生产多年。肖特基整流二极管能方便地买得到。仿制肖特基整流二极管芯片比自行研制要简单得多。走仿制的路，可以防止走弯路。仿制的设计就是先查清要仿制的肖特基整流二极管样管芯片的全部情况和数据，再对不清楚的部分进行复算分析，确定器件芯片各部分的结构、材料、尺寸，工艺程序等等，做到完全复制。由于现在测量、分析的工具和方法已十分完备，可很好地做到。如本厂就要求芯片的外形和参数都要完全复制。 首先搜集资料。查找有关要仿制的肖特基整流二极管的详细资料。通常由样品的性能规范表（Specfication sheet）可查到：全部参数，参数的定义、测试条件和方法，封装类型和尺寸，芯片外形尺寸等，有的样品还可查到各层金属化的种类和厚度、尺寸，以及势垒金属的品种等。有时，在生产此样管的厂家的网站中还可查到其它有用的资料。 测量样管及芯片的电参数。对于要仿制的样管,首先测量全面电参数，电学测量一般是非破坏性的。用 I-V法测量电流-电压特性， 改变温度可测量电参数（VF、IR）随温度的变化，测定理想因子n、结电容CJ、内建电压Vbi、势垒高度、串联电阻RS、最大恢复时间trr,等等。C - V法或扩展电阻法，可获得外延层内的杂质分布。 对样管芯片进行形貌分析。用发烟硝酸煮，除去芯片的塑料层后，用光学显微镜、测量显微镜及电子显微镜观察形貌，还可照相、观察测量横向尺寸及芯片厚度。多层金属的厚度可用α-step仪或干涉显微镜测量。介质膜用光学膜厚测试仪。将芯片磨出剖面后，用带电子探针的电子显微镜对剖面进行照相观察，对硅片和金属层各部分进行尺寸量度、分辨材料的性质、种类。将完整芯片腐蚀去表面的金属层后，用测量显微镜及电子显微镜对芯片正面表面观察形貌，照相、观察测量结窗口的横向图形尺寸、面积，隔离环的形状尺寸，划线槽尺寸，及各部分的相对位置。 对样管芯片各部分进行化学成分和组分分析。对于肖特基整流二极管仿制设计最感兴趣的是金属化。有哪些金属薄膜？各有多厚？势垒金属与硅的反应如何？等等。上述问题用俄歇谱仪（AES）一般能解决。利用离子枪溅射逐层剥离样品，一边剥离、一边分析，用AES可以获得元素的纵向分布。一般AES只作点的纵向分析。新型俄歇谱仪可以进行线扫描和面扫描分析，即扫描俄歇分析仪（SAM）。对肖特基整流二极管芯片分析，用SAM比用AES节省时间，同时节省了费用。样品经磨角加工成下图形状。对肖特基整流二极管芯片的表面磨角，清洗干净。注意样品上、下表面都要接地。分析前用离子枪将研磨面大面积轰击剥离表面层，露出新鲜表面。沿一条线扫描分析（如图），在角度已知的情况下，可获得元素的纵向分布。X光电子能谱分析（XPS）能直接分析元素间的化学状态，可分析化合物，也就可分析硅化物。一般俄歇谱仪中带有XPS。 扫描俄歇分析示意如下： 下图为对ROHM公司的0.5A肖特基整流二极管芯片用扫描俄歇分析得到的全部数据图，横坐标定标后即为深度。由图可见到钛硅化物成份随深度的变化。 二次离子质谱仪（SIMS）分析是用离子束轰击样品，使其溅射出二次离子，对收集到的二次离子进行计数和质谱分析，可测定轰击区内杂质种类和浓度随深度的分布。它灵敏度高，且对各种杂质灵敏度相同，常用作体分析。可将完整芯片腐蚀去表面的金属层，再去除钝化层后，对表面用二次离子质谱仪（SIMS）分析，可得到外延层内掺杂浓度、及其随深度的变化，对金属也可分析。 由以上几个方面的分析、测量和器件参数测试，基本可得到所需要的制作肖特基整流二极管芯片的全部数据： 外延硅片：衬底和外延层的厚度、浓度、掺杂分布、掺杂元素，过渡区浓度分布； 金属层：表面和背面各层金属的种类、厚度； 芯片形状尺寸：外形尺寸、形状； 二极管（光刻版）图形：制得器件的各层光刻版的图形、尺寸； 结金属的硅化物：成份和深度； 钝化层成分：成份和厚度； 隔离环：掺杂成份和深度、掺杂元素、掺杂分布。 根据以上全部资料、本厂的设备材料条件及具体情况，可分析得到器件制备的工艺步骤和流程。 制成试验芯片后，全面测试电参数，与欲仿制的样管芯片相对照、比较、分析。如有必要，则适当修改有关的器件结构、材料、工艺，数次反复，以达到完成全部指标。 二．自主设计开发 1．器件的基本参数和有