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针对Flash存储介质数据恢复技术探究 　　【 摘 要 】 针对Flash存储介质的数据恢复技术是信息安全领域中一个非常重要的研究课题。Flash存储介质有其独特的、不同于磁存储介质的存储特性，所以在数据存储方式上也与磁存储介质有所不同。针对Flash存储介质的存储特性而设计的闪存文件系统通过闪存转换层来实现数据的读写和芯片的管理。因此从文件系统级和芯片级两个方面对Flash存储介质的数据恢复技术进行了研究，并提出了下一步工作方向。 【 关键词 】 Flash存储介质；数据恢复；文件系统；信息安全 【 中图分类号 】 TP309.3 【 文献标识码 】 A 1 引言 在信息呈爆炸增长的今天，由于人为因素或自然灾害等不可抗力的破坏，导致的数据丢失，给企业和个人带来了无法估量的损失。数据恢复技术，是指在存储介质上将由于各种原因导致丢失的数据恢复成正常数据，使其还原本来面目，从而将损失减少到最小的技术。数据恢复技术是信息安全领域中的一个重要研究课题，它在信息灾难救援、计算机取证等方面有着广泛的应用。随着存储设备与技术的不断发展，电子存储发展强劲，以便携小巧、存储量大、性能可靠等优点，正在逐步取代光磁存储。其中，应用于SSD（Solid State Disk）固态硬盘、U盘等的Flash存储介质是电子存储的主流。本文针对Flash存储介质的存储特点，设计了针对Flash存储介质的数据恢复方法。 2 Flash存储介质原理 Flash存储介质是一种非易失性存储器，即使断电，数据也不会丢失。介质上的每一个存储记忆单元都是通过晶体管顶部的控制闸、中间的氧化物层和底部的浮闸来将游动在其中的自由电子困于单元内，使得在一般情况下经过多年，电子也不会逸散，从而达到非易失性的目的。Flash存储介质有NOR Flash和NAND Flash两种，其中NAND Flash广泛应用于大容量数据存储设备。NAND Flash存储介质以页（Page）为单位进行读写操作，以块（Block）为单位进行擦除操作。在写入时，NAND Flash只能在空白页中进行，若即将写入区域已有数据，则必须先进行数据的擦除操作后才能写入。 Flash存储介质通常还需要与主控芯片相连构成完整存储电路。主控芯片一般由一个RISC的微处理器及一些ROM和RAM存储器构成，它通过I/O总线来完成计算机对Flash存储介质的数据传输和读写控制操作。此外，主控芯片还实现了物理页块与逻辑扇区之间的地址转换，它的损坏将引起Flash存储介质中的数据无法正常读取。 3 闪存文件系统 闪存文件系统是针对Flash存储介质特有的存储特点，专门用来在Flash存储介质上存储文件的文件系统。闪存文件系统通过闪存转换层，封装下层Flash存储介质物理特性，向上层FAT32提供文件操作接口，以实现Windows操作系统对Flash存储介质的管理和控制。 3.1 Flash存储介质特点 Flash存储介质上每一个存储记忆单元的擦除次数都是有限的，而只要任意一个存储记忆单元的擦除次数达到了上限，该记忆单元将无法可靠工作，进而会影响到整个Flash存储介质工作的效率和性能。针对这一特点，避免出现对同一记忆单元的反复擦写，导致该记忆单元很快达到擦除上限的时候其他记忆单元的擦除次数还很低，闪存文件系统为Flash存储介质设计了良好的磨损均衡（Wear-Leveling）算法，让Flash存储介质上的每一个记忆单元都能够参与到介质的擦写过程中去，使得每一个记忆单元的擦除次数都基本相近，从而延长了Flash存储介质的使用寿命。 由于Flash存储介质要求“先擦除后重写”，并且需要做到磨损均衡，因此Flash存储介质通常采用异位更新（Not-in-Place Updates of Data）的策略，即Flash存储介质不是在原来的物理页中执行更新操作，而是将新的数据写入到其他物理页当中。这样，存储新数据的物理页成为了有效页，而存储过时数据的物理页成为了脏页。当脏页达到一定数量时，闪存文件系统将启动垃圾回收，来擦除这些脏页上的数据，而后重置它们为空闲页，等待新数据的写入。 3.2 闪存转换层 Flash存储介质大部分都工作在Windows操作系统下，而Windows操作系统所使用的文件系统是基于磁存储介质所设计的。由于Flash存储介质与磁存储介质的工作原理不同，所以Flash存储介质无法直接工作在诸如FAT32等适用于磁存储介质的文件系统下。这就需要闪存文件系统设计出闪存转换层（Flash Translation Layer）以提供一个逻辑层到物理层的映射，文件系统到Flash存储介质的接口。闪存转换层为了屏蔽Flash存储介质与磁