4.电子制造中微连接技术.ppt

* * 微连接在电子工业中的应用 连接是电子设备制造中的关键工艺技术，印制电路板上许多集成电路器件、阻容器件以及接插件等按照原理电路要求通过软钎焊(Soldering)等方法连接构成完整的电路；在集成电路器件制造中，芯片上大量的元件之间通过薄膜互连工艺连接成电路，通过丝球键合(Wire/Ball Bonding)、倒扣焊(Flip Chip)等方式将信号端与引线框架或芯片载体上的引出线端相互连接，实现封装。连接同时起到电气互连和机械固定连接的作用，绝大多数采用钎焊、固相焊、精密熔化焊等冶金连接方法，也有导电胶粘接、记忆合金机械连接等方法。 * * * * * * ASE F/E Flow UV Tape Wafer Mount BG Tape Wafer Taping Wafer de-taping BG Tape Wafer Grinding grind wheel Frame * * Wafer Sawing Die Attach UVIrradiator Epoxy Cure Wire Bond * * （1）零级封装 （2）一级封装 一级封装就是IC的封装。它是电子封装中最活跃、变化最快的领域。一级封装的种类繁多、结构多样。 * * * * （3）二级和三级封装 * * 2.3 电子制造中的微连接技术 * * 2.3.1内引线连接 微电子器件中固态电路内部互连线的连接，即芯片表面电极 (金属化层材料，主要为Al)与引线框架(lead frame)之间的连接。按照内引线形式，可分为丝材键合、梁式引线技术、倒装芯片法和载带自动键合技术。 2.3.1.1丝材键合(wire bonding) 把普通的焊接能源（热压、超声或两者结合）与健合的特殊工具及工艺（球-劈刀法、楔-楔法）相结合，形成了不同的健合方法，从而实现了直径为10～200μm的金属丝与芯片电极－金属膜之间的连接。该技术通常采用热压、超声和热超声方法进行。 * * （1）热压键合 通过压力与加热，使接头区产生典型的塑性变形。热量与压力通过毛细管形或楔形加热工具直接或间接地以静载或脉冲方式施加到键合区。只有金丝才能保证键合可靠性，但对于Au-Al内引线键合系统，在焊点处又极易形成导致焊点机械强度减弱的“紫斑”(purple plague)缺陷。 * * （2）超声波键合 利用超声波的能量，使金属丝与铝电极在常温下直接键合。由于键合工具头呈楔形，故又称楔压焊。超声波振动平行于键合面，压力垂直于键合面。超声波能量被金属丝吸收，使金属丝发生流变，并破坏工件表面氧化层，暴露出洁净的表面，在压力作用下很容易相互粘合而完成冷焊。该方法一般采用Al或Al合金丝，既可避免Au丝热压焊的“紫班”缺陷，又降低了生产成本。缺点是尾丝不好处理，不利于提高器件的集成度，而且实现自动化的难度较大，生产效率也比较低。 * * (3)丝材热超声波键合 (wire thermocompression bonding) 利用热压与超声波两者的优点，超声波与热共同作用，一方面可振动去膜，另一方面利用了热扩散作用，因此，温度可以低于热压法。特别适用于难于连接的厚膜混合基板的金属化层。 * * （4）丝球焊 丝材通过空心劈刀的毛细管穿出，然后经过电弧放电使伸出部分熔化，并在表面张力作用下成球形，然后通过劈刀将球压焊到芯片的电极上。该方法一般采用Au丝。近年来，国际上一直寻求采用Al丝或Cu丝替代Al丝球焊，到80年代，国外Cu丝球焊已在生产中应用。国内研制的Cu丝球焊装置，采用受控脉冲放电式双电源形球系统，并用微机控制形球高压脉冲的数、频率、频宽比以及低压维孤时间，从而实现了对形球能量的精确控制和调节，在氩气保护条件下确保了Cu丝形球质量。 * * 打线结合(Wire Bonding) 芯片焊盘 框架焊盘 银胶/胶带 金线 芯片 Tie Bar 芯片 俯视图 正视图 引脚 * * 2.3.1.2梁引线技术（beam-lead bonding）  采用复式沉积方式在半导体硅片上制备出由多层金属组成的梁，以这种梁来代替常规内引线与外电路实现连接。这种方法主要在军事、宇航等要求长寿命和高可靠性的系统中得到应用。其优点在于提高内引线焊接效率和实现高可靠性连接，缺点是梁的制造工艺复杂，散热性能较差，且出现焊点不良时不能修补。 * * 2.3.1.4 倒装芯片法（flip-chip）  随着大规模和超大规模集成电路的发展，微电子器件内引线的数目也随之增加。丝球焊作为一种连接技术，不论是焊接质量、还是焊接效率都不能适应大规模生产的要求，群焊技术