高分子导电膜空洞问题分析及解决方案-hkpca.PDFVIP

HKPCA Journal Issue 21 高分子導電膜空洞問題分析及解決方案 Compact CP 線空洞問題解決方案 上海美維電子有限公司 周陶剛，鄒許華 摘要：高分子電鍍為一種新型電鍍，它是利用高分子導電膜作為導電介質。相對於傳統的垂直化 學沉銅有著多方面的優勢，如流程短，速度快等，但每種工藝都存在著本身問題，本文針對高分 子導電膜電鍍的實際應用過程中一個重要的問題—空洞，做出相應的改善的過程做出說明，以供 同業參考，提供應用能力。 關鍵字：空洞，導電聚合物膜，粘附促進 背景 2005 年6 月低至2005 年7 月初，在上海美維電子有限公司的CP 電鍍中產生了嚴重的空洞現象。 幹擾了生產進度，也造成了批量的報廢。要解決這問題需從CP 電鍍的基本原理入手，再結合SME 的實際情況，從試驗和測試中發現問題所在，使問題得到最終的解決。 第一部分：產生空洞時的狀況 1 問題切片圖片 圖1-1 2 問題簡要分析 從大量的切片上看，空洞產生的位置是在多層板的內層銅處對於雙面板，沒有發現有 空洞現象。而且空洞是不定時的產生。 1 HKPCA Journal Issue 21 51 ＃電鍍層 44 ＃電鍍層 基 銅 圖 1-2 對空洞處做SEM 分析，空洞是產生在第一層鍍銅層和導電聚合物膜之間。 第二部分：CP 電鍍的原理和空洞分析 一期水準電鍍線採用導電聚合物（Compact Conductive Polymer ）的形式來完成。整個電鍍流 程包括有微蝕、鹼性電荷調整、粘附促進、導電聚合物膜形成、電鍍。 其中最重要的一步就是粘附促進和導電聚合物膜的形成。粘附促進主要是高錳酸鹽，高錳酸 根被還原形成不溶性的二氧化錳（MnO2 ），形成的二氧化錳均勻地吸附在孔壁樹脂的表面形成厚 度約 1μm 的二氧化錳吸附層，內層銅表面不吸附任何東西。二氧化錳與導電聚合物單體吡咯反應 被還原成二價錳離子，而吡咯單體被氧化並聚和在一起形成單鍵和雙鍵交替存在的聚合物。正是 由於單雙鍵交替存在，可以通過共振作用使電子在聚合物中自由移動而具備了導電性。導電聚合 物方法流程比較短。其流程過程示意圖如下： 電荷調整後 聚合物的吸附和 電鍍 的樹脂表面 導電膜的形成 N KMnO4 H 高錳酸鉀進行處 理，在樹脂表面 均勻吸附一層 MnO2 * * N 2 HKPCA Journal Issue 21 圖2-1 這裏面需要特別指出的是：電鍍層銅的生長方式是由兩端向中間逼近的，而且必須在很短的 時間內完成。否則會產生空洞。 電