晶格常数对左手材料地能量透射率及负折射率地影响.pdfVIP

第31卷 第 1期 计 算 物 理 Vo1．31．NO．1 2014年 1月 CHINESE JOURNALOF COMPUTATIONALPHYSICS Jan．，2014 文章编号 ：1001—246X(2014)01—0085-06 晶格常数对左手材料的能量透射率及负折射率的影响 钟 敏 ， 叶永红 (1．物理科学与技术学 院，南京师范大学 ，南京 江苏 210023；2．贺州学院，贺州 广西 542899) 摘 要 ：研究晶格常数对左手材料的能量透射率、负折射率以及品质因素 (FOM)的影响．结果表明，随着 晶格常数 的减小，左手材料 的低阶透射峰出现异常增大，其物理机制为阻抗匹配 ；左手材料 的负折射 的中心频率随着晶格常 数的减小而蓝移 ，与理论结果基本一致 ；晶格常数对左手材料的FOM有重要 的影响，当晶格常数减小到一定值时， 可以实现完美阻抗匹配 ，从而得到较高的FOM． 关键词 ：左手材料 ；能量透射率 ；负折射 ；晶格常数 中图分类号 ：Q441．2；TB34；0436；TM271 文献标识码 ：A 0 引言 左手材料的概念首先于 1968年由Veselago提出…．左手材料有着许多不同寻常的性质，比如负折射率，逆 多普勒效应等…．但是左手材料在 自然界中并不存在 ，因此 ，左手材料的概念提出后 ，并没有得到研究者们的关 注．直到 2001年 ，Smith等人 用实验证明了负折射率的存在，左手材料才吸引了越来越多的研究者．数值研究 表明，由于独特的性质，左手材料可以在许多方面得到应用，比如 ，完美透镜，高指向性的天线等 ．其中，许多 研究者关注左手材料的结构对能量透射率和负折射率的影响 ．晶格常数对能量透射率的影响也受到了关 注 ¨．李俊成等人通过增大左手材料的晶格常数，增大了左手材料的品质 因数 ，从而降低了电磁波的损耗 ¨． 但是 ，晶格常数对左手材料的负折射率等性质的影响则关注较少．我们研究晶格常数对左手材料能量透射率和 负折射率等性质的影响． 1 理论模型 在模拟研究中，我们使用的二维正方 晶格示意图如 图 1所 示 ，这个晶格包括三层介质 ，其 中，上下两层为银层 ，中间层为 SU一8胶层 ，即金属 一介质层 一金属 (MDM)三明治结构．本模拟 研究之所 以采用 SU8胶 ，主要是 由于 SU8胶 的使用方法较为 简单 ，成本较低．在xoy平面内，晶格常数为 n。=12 m，圆孔的 半径为3 m，银层厚度 h=0．05Ixm，SU一8胶层 的厚度为 s= 2 m．模拟中使用理想磁导体平面作为 轴方 向的边界，使用 理想电导体平面作为 Y方 向的边界 ．整个模 型被放置在 空 气 中测试 ，电磁波沿着z轴方向垂直入射． 用于数值模拟 的软件为商业软件 AnsoftHFSS10．中间介 图 1 圆孔 阵列 的品格结构示意图 质层 su．8的介 电常数为 2．56+0．035i¨．银层使用 Drude Fig．1 Schematicofaunitcell 模型 收稿 日期 ：2013—04—08；修回 日期 ：2013—09—01 基金项 目：国家 自然科学基金 ；江苏省 2013年普通高校研究生科研创新计划项 目(CXLX13—39)；桂教科研 [2011]14号 (201106LX649)及贺州学 院项 目(2012ZRKY04)资助 作者简介 ：钟敏 (1982一)，男，硕士，研究生，讲师，从事左手材料及超材料研究 通讯作者 ：叶永红 ，E—mail：yeyonghong@njnu．edu．ell 86 计 算 物 理 第 31卷 ()=1一∞：／( 一itor。)， 其