半导体测试与分析1课件.pptVIP

半导体材料的测试分析 前言 半导体材料中杂质和缺陷的重要性 随着半导体技术和科学的发展，对杂质和缺陷的检测方法在准确性和精度方面要求越来越高 检测内容也发生了变化。 从材料缺陷宏观观察和电学性质的宏观测量转移到对表面、界面及薄膜的组分、结构和特征参数的细微研究。 从对杂质和缺陷宏观效果评价发展到对他们电子结构及相互作用的探索 人类在自然科学和工程技术方面的长足进步，也为半导体材料的检测和分析提供了多种物理、化学方法 电阻率与杂质浓度测试 电阻率是半导体材料最重要的电特性之一 电阻率值的大小是设计器件参数以及器件制造过程中选择材料、控制工艺条件的重要依据 半导体生产过程中的电阻率测量是十分频繁的，也是非常关键的。准确易行的电阻率测量方法对于保证器件质量以及新材料、新器件、新工艺的开发都是十分必要的。 半导体电阻率的测量与导体的电阻率测量是有区别的 1、在金属与半导体接触的界面附近也要产生一个耗尽层。因为金属的电子密度极高，因而这个耗尽层展宽在半导体一边。耗尽层中只有不能自由运动的电离杂质，它们不能参与导电，因而这是一个高阻层。同时，任何两种材料的小面积接触都会在接触处产生扩展电阻。尤其是对金属—半导体点接触，这个扩展电阻会很大，人们常常把这两个因接触而产生的高电阻统称为接触电阻。因此，当用欧姆表来测量半导体时，这个巨大的接触电阻就会使结果