碳化硅性质制备及应用.doc

特种陶瓷——SiC陶瓷的性质，制备及应用 周云海 韩彦 赵飞 （河海大学力学与材料专业） 摘要：SiC陶瓷拥有其特殊的性质，它特殊的结构决定了它的性能：具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高等优良特性，因此，它的应用已经遍及石油，化工，机械，航天，核能等领域，日益受到人们的重视，SiC陶瓷的制备工艺也越来越成熟。各种制备技术日益更新，精进。其中SiC陶瓷的烧结方法与烧结技术研究更是日益进展。 关键词：SiC陶瓷 结构与性质 制备 活化技术与 烧结方法 应用 碳化硅陶瓷材料由于耐高温，抗氧化，抗冲刷，耐磨，耐腐蚀，质量轻等性能而受到人们的关注，在机械，化工，能源等方面得到广泛的应用，近年来随着SiC制品烧结理论的发展 ，性能的拓展提高，烧结助剂的多样化和深入研究。碳化硅陶瓷的应用越来越为广泛。其优越的性能也越来越得到人们的青睐。 对于高性能结构陶瓷，在保证性能的稳定 可靠性，降低成本以推进其批量生产等方面，尚存在许多问题需要进一步的研究。而对于烧结致密化非常困难的SiC陶瓷，烧结助剂的选择，优化设计则需要研究的重要内容之一。因为它与烧结工艺制度一起。通过改变微观结构极大的影响着陶瓷的强度，韧性及介电性等性能指标，为此，本文就SiC陶瓷活化烧结助剂的选择和设计研究进展情况进行综述。 1SiC陶瓷的结构，主要性能及其两者关系 1.1碳化硅的结构 碳化硅是一种人造材料，其分子式为SiC，分子量为40.06，其中硅的百分含量为70.045.碳的百分含量为29.955.碳化硅的一般密度为3.2g/cm^3。 碳化硅晶体结构为标准的金刚石结构，单位晶胞由四面体构成，硅原子处在中心而周围都是碳原子。二者结晶时，sp排列稳定化，s电子迁移至p导致能量稳定的sp3排列即形成强烈的共价键。同时碳硅之间的电负之差，说明碳化硅中离子键的存在，占百分之二十，可见其共价键相当的强。 SiC是共价化合物，所以SiC都是由碳化硅四面体堆积而成。碳化硅有多种型体，各种型体之间的资源自由能相差很小，下图为几种SiC原子堆垛的示意图。 1.2碳化硅陶瓷的性质 碳化硅陶瓷，具有抗氧化性能强，耐磨性好，硬度高，热稳定性能高，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在石油，化工，机械，航天，核能等领域大显身手，日益受到人们的重视。 具体而言： 1.2.1SiC的化学性质 碳化硅的氧化特性与其化学稳定性能有着密不可分的关系，SiC本身是很容易氧化的，但由于其氧化之后，表面会形成一层致密的SiO2氧化膜，氧化进程被截止。当这层薄膜被破坏时，SiC将会继续被氧化。比如，CaO，MgO等在1000摄氏度时会腐蚀SiC，FeO则在1300摄氏度左右腐蚀碳化硅。SiC在高温下与水蒸气的反应相当的强烈。由温度的不同可生成不同产物。例如碳，硅，或氧化硅，碳化硅在1000摄氏度左右能和硫化氢等含S化合物反应生成红棕色的硫化硅，这就是碳化硅制品在烧成时色泽红的原因之一。 1.2.2SiC的热学性质 碳化硅的热导系数很高，它的热导系数在各种耐火材料中遥遥领先，所以SiC所具有的低热膨胀系数和高温导热系数，使其制品在加热及冷却过程中受到的热应力较小，它就是SiC陶瓷抗热震性特别好的原因。 1.3二者关系 碳化硅是共价键很强的化合物，SiC中Si与C键的离子性仅为１２％左右，因此，碳化硅强度很高，弹性模量大，具有良好的耐磨损性能。纯SiC不会被HCl，HNO3，H2SO4和HF等酸性溶液及NaOH等碱溶液腐蚀。在空气中加热时易发生氧化，但氧化表面形成氧化膜会阻止氧化的进一步进行，故氧化的速度并不是很快，在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现良好的导电性。此外，SiC还具有优良的导热性能。 2.SiC陶瓷的制备 SiC陶瓷的制备工艺分为两步:ＳiC原料生成与粉末的烧结成瓷。 原料制备 :ＳiC本身在地球上几乎不存在，仅在陨石中有所发现。因此，工业上应用的ＳｉＣ粉末都为人工合成。目前，合成ＳｉＣ粉末的主要方法有：化合法、碳热还原法、气凝sio2的碳还原法以及热分解法，还有气象合成法。 将单质Si和C在碳管电炉中直接化合而成，其反应式如下：Si +C=β-SiC 这种方法是将氧化硅生成碳化物，反应式如下：sio2+c==sio(g) +co(g)：sio+2c==sic +co(g)这是个吸热反应，需使用大量电能。实际上反应远比上述反应式复杂的多，有些中间反应还有气相参加。用此法制得的sic含量一般为96%左右。颜色有绿色和黑色，sic含量愈高颜色愈浅，高纯为无色。 Si +C=β-SiC 使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在１２００～１５００℃的温度范围内发生