第2章 电力电子器件概述0.ppt

IGBT栅极驱动电路设计中，除了正确计算驱动电阻外，还应注意以下几点。 1）门极驱动电压——门极驱动电压增大，导通饱和压降降低，但将减弱IGBT的负载短路能力。 2）门极负偏压——IGBT关断时，在实践中通常在门极加负电压，在门极施加负偏压可以确保门极电压不会上升到开启电压，从而保证IGBT可靠关断。 由于在关断瞬间，集-射极电压由饱和导通压降上升到直流母线电压，过高的dVCE/dt产生较大的转移电流，该电流在门极驱动电阻上形成压降使IGBT误导通，即所谓的密勒效应。在门极加负偏压可以抵消转移电流产生的压降，防止误导通。 IGBT的驱动 在大部分情况下，功率MOSFET的驱动电路适用于IGBT。 目前应用较多的有: CONCEPTD的IGD515\IGD516等系列，号称万能IGBT驱动器，可以输出±1.5A到±8A电流，但成本较高； INFINEON的IED020I12-S系列可以驱动1200VIGBT，具有2A的电流输出能力； VLA517-01RZO作为EXB系列的替代产品，对于EXB系列用户具有吸引力，具有4A的驱动能力； 安捷伦的HCPL316J可以驱动150A以下IGBT。 IGBT的驱动 1）IGBT的开关速度高，开关损耗小，据统计，IGBT电压在1000V以上时的开关损耗只是GTR的1/10，与VDMOS相当。 2）IGBT的通态压降比VDMOS低，特别是大电流区段。 3）IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负的温度系数，在以上区段具有正的温度系数，因此IGBT在并联使用时具有电流自动调节的能力，有易于并联的特点。 4）IGBT的安全工作区比GTR宽，且具有耐脉冲电流冲击的性能。 5）IGBT的输入特性与VDMOS相似，输入阻抗高，它在驱动电路中作为负载时呈容抗性质，也与VDMOS类似。 6）与VDMOS和GTR相比，IGBT的耐压可以继续做的高，电流可以继续做的大，同时还保持工作频率高的特点。 IGBT的参数特点 2.5 其他新型电力电子器件（自学） 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT 2.5.2 静电感应晶体管SIT 2.5.3 静电感应晶闸管SITH 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 2.5.5 功率模块与功率集成电路 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT MCT结合了二者的优点： 承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。 高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。 一个MCT器件由数以万计的MCT元组成。 每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 MCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合 2.5.2 静电感应晶体管SIT 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 SIT（Static Induction Transistor）——结型场效应晶体管 2.5.3 静电感应晶闸管SITH SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。 其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。 ?SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。 SITH（Static Induction Thyristor）——场控晶闸管（Field Controlled Thyristor—FCT） 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍。 可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大。 目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。 IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor） ——GCT（Gate-Commutated Thyristor） 2.6.功率集成电路与集成电力电子模块 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、