第7章_ARM7系列芯片的外围电路设计.pptVIP

第7章 ARM7系列芯片的 外围电路设计 1. 嵌入式硬件系统模块 2. 存储器电路与设计 3. 键盘输入模块 4. 显示输出模块 5. 串行通信模块 7.1 嵌入式硬件系统模块 7.1.1 最小系统结构 7.1.2 电源电路 7.1.3 时钟电路 7.1.4 复位电路 7.1.5 存储器系统 嵌入式微控制器是整个系统的核心，负责整个系统的运作，但是它不能独立工作，必须配置额外的外围电路为其提供必要的基本条件。 7.1.2 电源电路 电源设计的思路 7.1.3 时钟电路 7.1.4 复位电路 7.1.5 存储器系统 7.2 存储器电路与设计 7.2.1 嵌入式系统中存储器的分类 7.2.2 SRAM接口 7.2.3 SDRAM接口 7.2.4 PSRAM接口 7.2.5 NAND FLASH接口 7.2.6 NOR FALSH接口 7.2.7 存储器与ARM的连接 7.2.1 嵌入式系统中 存储器的分类 嵌入式领域中存储器一般可分为两大类：随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）和只读存储器（Read Only Memory，ROM） 。 RAM（随机访问存储器） RAM也可称为读写存储器，其存储单元中的内容在机器运行期间可按需随意读/写，且访问速度与存储单元的位置无关，无需经过中间电路的驱动。因为RAM在断电时将丢失其存储内容，所以主要用于存储短时间使用的程序。 根据存储信息原理的不同， RAM又可以分为SRAM（Static RAM，静态随机存储器）、SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步的动态随机存储器）和PSRAM（Pseudo Static RAM，假静态随机存储器）。 ROM（只读存储器） ROM是一种只能读出预先存储数据的固态半导体存储器，其特性是ROM所存的数据稳定，断电后数据不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。 ROM可以分为掩膜式只读存储器（MROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）、电可擦可编程只读存储器（E2PROM）和闪速存储器（FLASH Memory）。 FLASH存储器 FLASH是在EPROM和E2PROM 基础上发展起来的，兼有RAM和ROM两者的优点，是一种可在系统（In-System）进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。其具有高集成度、大容量、高速度、低成本的特点 。 根据不同的应用场合，FLASH的实现技术分为 NOR型FLASH 和NAND型FLASH 。 7.2.2 SRAM接口 SRAM特点 具有极高的读写速度 SRAM属于易失性存储器，电源掉电后SRAM中的数据将会丢失 逻辑结构 静态RAM的逻辑结构 存储矩阵 存储器读/写控制逻辑 双向数据缓冲器 地址译码器 主要有两种实现方式：单译码方式，双译码方式。 举例：IS61LV25616AL芯片 7.2.3 SDRAM接口 SDRAM特点 数据的读写需要时钟来同步，并且需要不断的刷新电路来保证数据的不丢失 可以自由指定地址进行数据的读写 逻辑结构 动态RAM的逻辑结构 存储阵列BANK BANK控制逻辑 举例：HY57V561620芯片 7.2.4 PSRAM接口 PSRAM特点 内部结构跟SDRAM相似，外部接口却跟SRAM相似 PSRAM容量没有SDRAM密度高，但是比SRAM高很多，支持突发模式； 价格上比相同容量的SDRAM稍贵，却比SRAM便宜很多； 比较于SDRAM，PSRAM的功耗要低很多 举例：MT45W4Mx16PFA芯片 7.2.5 NAND FLASH接口 NAND FLASH接口的特点 共用地址线和数据线，需要控制信号线来配合数据的读和写 I/O端口只有8个，不能按字节随机编程，适合于纯数据和文件存储。 速度要比NOR型的并行传输模式慢很多，读操作较慢； 由于芯片尺寸小，引脚少，NAND型是位成本（bit cost）最低的固态存储器。 逻辑结构 NAND FLASH的逻辑结构 举例：K9F28XXU0C芯片 7.2.6 NOR FLASH接口 NOR FLASH接口的特点 数据线和地址线是独立分开的，所以它可以像SRAM一样与系统的数据总线相连 传输效率很高 支持芯片内执行( XIP，eXecute In Place)程序，因此嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。 举例：SST39V160芯片 7.2.7 存储器与ARM的连接 具体连接方法和原则 数据总线 控制总线 地址总线 7.3 键盘输入模块