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ZnO薄膜材料的制备工艺设计

上述所选择的实验条件列入表3.1中 表3.1 主要实验参数取值范围 实 验 参 数 取 值 范 围 实 验 参 数 取 值 范 围 电压(V) 450 900 反应室总气压(Pa) 150 500 电流(A) 0.9 1.8 锌源温度_ 50 80 衬底温度(_) 150 550 锌源浓度(mol/l) 0.5/0.75/1.0 沉积时间min 60 210 Al 掺杂量(at.%) 1/2/3 实验采用MF-PECVD 法制备ZnO 和ZAO 薄膜用去离子水作溶剂醋酸锌(Zn(CH3COO)2)为锌源配制锌源溶液制备ZAO 薄膜时用AlCl36H2O 作掺杂剂第一部分实验中考察反应室总气压沉积时间锌源浓度对薄膜吸光ZnO 薄膜的制备掺杂工艺研究16度的影响比较沉积薄膜前后透射率的变化考察衬底温度反应室总气压锌源浓度对成膜速率的影响考察衬底温度对薄膜表面颜色均匀度附着力晶型的影响考察ZnO 薄膜的光催化作用通过上述实验得出MF-PECVD 法制备ZnO 薄膜的最佳工艺参数第二部分实验中运用正交设计法考察衬底温度沉积时间锌浓度掺杂量对ZAO 薄膜透射率的影响得出MF-PECVD法制备ZAO 薄膜的最佳工艺参数最后通过比较ZnO 与ZAO 薄膜的透射率分析了掺杂影响薄膜透射率的原因。 3.1.5.1 实验前衬底的准备 载玻片的处理将普通钠钙载玻片切割成2.5cm1.2cm 大小用洗衣粉清洗后用去离子水洗净,再用乙醇浸泡清洗去离子水洗涤两次后烘干待用。 3.1.5.2 实验过程 将载玻片放在下极板上。将真空系统抽真空,极限真空为35Pa 压,升率为20Pa/h 。调节电源电压充入氩气,溅射约10min, 开始充入反应气氛锌源调节反应气氛流量达到实验所设定的炉体内气压进行薄膜沉积实验由于锌源升温需要一段时间一般提前将锌源加热至预定温度以保证在反应过程中锌源能保持恒定地供给记录实验参数数据衬底温度由温度传感器测量升温时间根据预先设定电压而有所不同一般保持在 30 40min 沉积时间是指温度恒定后的保温时间由于温度传感器所测衬底温度和真实衬底温度有一定的温度差约为100_ 实验中所讨论的衬底温度是指温度传感器所测温度。 (1)ZnO薄膜的性能及应用 (2) ZnO薄膜的主要表征方法概述 ZnO薄膜是直接带隙半导体,具有很好的光电性质,对紫外光有较为强烈的吸收,在可见光区,光透过率接近90%。ZnO薄膜的光电特性与其化学组成、能带结构、氧空位数量及结晶密度相关,在适当的制备条件及掺杂条件下,ZnO薄膜表现出很好的低阻特征,使其成为一种重要的电极材料,如太阳能电池的电极、液晶元件电极等。用氢等离子处理的ZnO:Ga薄膜也可用于太阳能电池,η=13%。高的光透过率和大的禁带宽度使其可作太阳能电池窗口材料、低损耗光波导器件及紫外光探测器等。而它的发光性质及电子辐射稳定性则使其成为一种很好的单色场发射低压平面显示器材料,并在紫外光二极管激光器等发光器件领域有潜在的应用前景。尤其是ZnO光泵浦紫外激光的获得和自形成谐振腔的发现更加激起了人们对其研究的热情。同时由于ZnO对光波具有的选择性(可见光区的高透射性和红外光区的高反射性),可作为一种热镜材料来制成低辐射幕墙玻璃。 ZnO是一种典型的表面控制型半导体气敏材料,ZnO薄膜光电导随表面吸附的气体种类和浓度不同会发生很大变化。依据这个特点,ZnO薄膜可用来制作表面型气敏器件,通过掺入不同元素,可检测不同的气体,如未掺杂的ZnO对还原性、氧化性气体具有敏感性,掺Pd、Pt的ZnO对可燃性气体具有敏感性,掺Bi2O3、Gr2O3、Y2O3等的ZnO薄膜对H2具有敏感性,而掺La2O3、Pd或V2O5的ZnO对酒精、丙酮等气体表现出良好的敏感性。ZnO薄膜经某些元素掺杂后对有害性气体、可燃性气体、有机蒸汽具有良好的敏感性。利用这些性质,可以制成各种气敏传感器应用于健康检测、监测人体内的酒精浓度、监测大气中的有害气体含量等。 ZnO薄膜具有优良的压电性能,如高机电耦合系数和低介电常数,是一种用于体声波(BAW)尤其是表面声波(SAW)的理想材料。SAW要求ZnO薄膜具有c轴择优取向,电阻率高,从而有高的声电转换效率;且要求晶粒细小,表面平整,晶体缺陷少,以减少对SAW的散射,降低损耗。ZnO在低频方面,主要用于传感器,但存在直流电致损耗;而在高频方面,具有良好的高频特性,随着数字传输和移动通信信息传输量的增大,SAW要求超过1GHz的高频,因此ZnO压电薄膜在高频滤波器、谐振器、光波导等领域有着广阔的发展前景。这些器件在大存量、高速率光纤通信的波分复用、光纤相位调制、反雷达动态测频、电子侦听、卫星移动通信、并行光信息处理等民用及军事领域的应用也非常广泛。日本松田公司已在蓝宝石基片上外延Zn

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