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关于ISE TCAD中如何建立新材料以及模拟中需要注意的若干问题 ISE TCAD中的材料文件 在ISE TCAD中，材料参数文件的格式为“.par”格式，其均包含在软件的材料库中，路径如下： /…/ISE TCAD/ise tcad/tcad/10.0/lib/dessis/MaterialDB/ 该库共包含55种材料，其中既有常用半导体材料如Si、Ge、GeSi、GaAs、SiC等，还包括一些新兴半导体材料如GaAsP、InAlAs、 Strain Si、AlInGaN等，还有一些金属和绝缘体的材料参数文件，并且支持用户自定义新材料。 材料参数的修正 化合物半导体中各元素组分的调整 对于部分已有材料 SiGe、Strain Si、AlGaAs、InAlAs、InGaAs、GaInP、InAsP、GaAsP、HgCdTe、InGaAsP、AlInGaN、AlGaN、InGaN、AlInN 其已在软件内部定义组分方程，如下图所示： 化合物半导体中各元素组分的调整 对于上述材料中各元素组分的调整，只需在Dessis的.cmd文件中添加如下语句 即可： 新材料的建立 如果在模拟中需要加入一种库中所没有的新型材料，则需要先在个人所建Project目录下创建如下两个文件： Datexcodes.txt 范本路径： /…/ISE TCAD/isetcad/tcad/10.0/lib/datexcodes.txt Datexcodes.txt 文件格式 自定义后的AlN、Al、N MoleFraction.txt 范本路径： MoleFraction.txt 文件格式 编写新材料的参数文件 与组份有关的参数模型 Epsilicon Refractive Index Lattice Heat Capcatity Kappa Bandgap Constant Mobility Constant Mobility_aniso HighFieldDependence HighFieldDependence_aniso VanOvertraetendeMan 与组份有关的参数模型 Energy Relaxation Time Qwstrain SchoredingerParameters DopingDependence DopingDependence_aniso 绝缘体或氧化物与其他半导体材料的不同之处 用新创建的与组分相关的AlN材料进行模拟的运行过程 SiGe例子 * 在模拟中如果想对已有材料进行调整，以期达到 与实际工艺相符和的目的，可通过调用库中的参数文件，找出主要模型如介电常数、禁带宽度、晶格热电容、热电导等，逐项修改。 注意：切勿改动软件原库 (MaterialDB)中文件，建议修正前将所要修改的材料参数文件复制至个人目录下，修改后通过“Dessis ? Edit Input ? Parameters”导入即可。 Physics( Material=“ 材料名称 ”) { MoleFraction (RegionName=[“ 该材料所属区域 ”] xFraction= 组分比例 Grading=0 ) } 选成零可保证是突变异质结 Datexcodes.txt MoleFraction.txt 定义新材料在mdraw中显示的图标、颜色以及该材料表现出何种特性（绝缘体、半导体、导体或all等） 若新材料是化合物半导体，则该文件为定义材料中构成元素的组份方程 /…/ISETCAD/isetcad/tcad/10.0/lib/dessis/MaterialDB/ MoleFraction.txt Si.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par SiGe.par Oxide.par Oxide.par *