光刻版图设计中的一些注意事项.pptVIP

光刻版图设计中的注意事项 目录 原则 光刻版的方向问题 对版标记图形的选择 第一层版的设计 暗版的设计 亮版的设计 PCM 工艺检测图形的设计 背面对版标记的设计 关于制版的原则 在设计允许的前提下，工艺宽容度留得越大公艺就会越顺利 大图形和小图形的尺寸的比例不要太悬殊，例如5um和100um 有剥离工艺的光刻版尽量做成亮版，用AZ5200反转胶光刻 第一版先用马路网格把cells分开 注意版图的方向 光刻版的方向 下面是几个标定版图方向的方法 对版标记的设计 对版标记以每一个单元为单位设计 如果每一个图形做一个自己的对版标记，不要重复使用对版标记 对版标记的选择 T字形对版标记 十字形对版标记 品字形对版标记 口字形对版标记 第一层版的设计—有平行要求的 如果是暗版，如果有要求图形与解理边平行的，要留一个找平用的框。 另外，芯片上解理出一个边对准用 第一层版的设计—针对小芯片 如果一个芯片上只有一个图形，或者如果需要保证芯片有成品率的，第一版要给出每一个cell的边界，即分片间道，以保证金属电极能够成功地放入芯片。 例子a是第一层版腐蚀版，亮版。b是第二层版金属电极版。 暗版对版标记的设计 如果暗版是套刻版，如金属版，要给出适当的透光的图形好能看到版下面的芯片上的对版标记。 暗版的图形尺寸要求 如果暗版是微细图形，图形尺寸在允许的范围内，最好大于3um，或5um。在允许的情况下，图形越大工艺就会越顺利。 亮版图形尺寸的要求 亮版是很受光刻工艺欢迎的版，因为大面积透光，使对版一目了然。 亮版如果是剥离工艺，留胶图形至少大于5um，否则剥离困难。 亮版如果是湿法腐蚀工艺，要求留胶图形大于2um，否则显影时图形容易吃掉。 亮版对版标记的设计 亮版的对版标记要有两种设计考虑，一种常规的设计，后一道的标记比前一道大；另一种反常规的设计，针对亮版的，后道的标记比前一道小。以防因为失误使设计的标记不能用。 PCM 工艺检测图形的设计 光刻曝光显影控制图形 精度为1um的光刻检测图形 此设计是最高精度----1um光刻窗口的设计。尺度为：4，3，2，1um 对于不同精度要求的光刻可以适当放宽尺度，如胶厚3um的图形，可以设计为：5，4，3，2 或 6，5，4，3um 简化的显影检测图形 欧姆接触测试图形的设计 测试图形的基本尺寸：50x50um 为了测试方便，可以放大到80x80um 某层改版后可能出现的问题 步进尺寸出现错误，阵列对不上。 所以如果需要单独改某一层版，步进一定搞准 背面对版标记的设计 背面对准对芯片的要求： 大于2x2cm2 对版标记的设计： 2x2cm2, 标记间距 大于1.2cm 小于2cm 2寸和4寸片背面对版标记的距离 2寸片，标记间距大于2cm, 小于4.2cm 4寸片，标记间距大于9cm, 小于3cm * * 不要用相同的对版 标记做给不同的图形 A B C D A B C D A B C D A B C D a b c d e f g h 对版标记 图形 对版标记以单元为单位 管芯 重复使用 100um 40um 15um 显微镜下的版图 感觉上的透光与不透光的转换 透光部分 a 第一版 芯片和芯片上的带胶图形 版上的透光部分 第二版 b 不合理的版图设计 a 不易套刻的版，透光部分太小 版图设计合理一些的版，增加了透光部分 本道工艺的标记 对版标记 版的序号 总对版标记 欧姆接触电阻测试图形 曝光显影控制图形 钝化膜检测 窗口 光刻胶 5um 3um 3um 3um 2um 2um 4um 4um 1um 1um 80um 3um 3um 曾经使用过的显影图形 改进版的简化显影图形 过显影的结果 显影不足的结果 缺点：不够精确， 正常显影看起来就象欠 的感觉 5um 10um 10um 25um 承片台 两个背面对准显微镜 相距最近的位置 1.2cm 2cm 1.2 2.0 2cm 4.2cm 2寸片承片台 3cm 9cm 4寸片承片台 承片台上的透光孔 位于芯片之下的背面对版用的显微镜物镜