SiGe异质结微波功率晶体管.PDFVIP

中国科技论文在线 第 18 卷第 4 期 　　微 　波 　学 　报 Vol . 18 No . 4 　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　 2002 年 12 月 J OU RNAL OF M ICROWAV ES 　Dec . 2002 文章编号 :10056 122 (2002) Si Ge 异质结微波功率晶体管 王 　哲 　亢宝位 　肖　波 　吴 　郁 　程 　序 (北京工业大学电子与信息工程学院 ,北京 100022) 摘 　要 : 　本文述评了 Si Ge 异质结微波功率晶体管的特性 、结构 、工艺及研究进展 。 关键词 : 　Si Ge 异质结双极晶体管 , 微波功率双极晶体管 Si Ge Heteroj unction Microwave Power Bipolar Transistor WANG Zhe , KANG Baowei , XIAO Bo , WU Yu , CHENG Xu ( ) College of Elect ronic S cience Technology , B eij ing Poly technic University , B eij ing 100022 Abstract :　This p ap er reviews Si Ge microwave power HB T ’s characteristics , structures , technology and research progress. Key words : 　Si Ge heteroj unction bipolar transistor , Microwave power bipolar transistor 1 　引言 微波功率晶体管是通讯、雷达等系统应用中的关键器件 。GaA s 微波功率晶体管具有较好的高频性能 , 在较高频段中占有重要地位 〔1 ,2 〕,但 GaA s 衬底的缺陷是密度较高 、导热性差 ,与硅基晶体管相比难于集成 , 特别是与硅集成技术不兼容 ,造价也高 , 因此只有在硅基器件不能胜任的频段才使用 GaA s 微波功率器件 。 国际上一直在努力改善硅微波功率晶体管的性能 , 以提高其工作频段 ,但 由于 Si 的电子与空穴迁移率与 GaA s 相比低很多 ,其结构经充分优化后 ,性能提高已不明显 , 目前大量应用的硅高压微波功率晶体管 ,其工 作频段仍限于 S 波段以内〔3 〕。 最近十几年来出现的 Si Ge 异质结双极晶体管为硅基微波晶体管的发展带来了生机 。基区为 Si Ge 应变 ( ) 〔4 〕 层 ,发射区和集电区为硅的异质结双极晶体管 Si Ge HB T ,其性能比硅微波晶体管大有改进 。九十年代 中期 ,小信号微波晶体管的特征频率 f T 和最高振荡频率 f max就已分别达到 116 GHz 和 160 GHz 〔5 〕;最近的一 篇报道称小