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氧化锡纳米晶制备和气敏性能初步探究 　　【摘 要】SnO2是一种具有金红石结构的宽能级n型半导体氧化物，作为气体传感器是其最重要的用途之一。影响SnO2气敏性的因素有多种，其中晶粒的尺寸和形貌是主要的影响因素。SnO2的粒径越小，比表面积越大，气敏性也越大，随着纳米技术的发展，纳米材料粒度小， 比表面大的特点， 可望大幅度提高材料的气敏性能，对SnO2纳米材料的研究成了当今气体传感器的研究热点。本文主要研究了采用水热法以市售SnCl45H2O，NaOH，乙醇为原料，采用醇水比为1：1的比例配制SnCl4和NaOH的混合溶液，同时磁力搅拌；再加入无水乙醇继续搅拌直至溶液呈透明状，测PH；之后将溶液转移至反应釜中加热反应（160℃，180℃，200℃），反应结束后取出离心分离，用蒸馏水和无水乙醇各洗涤沉淀三次，最后干燥12个小时左右即得SnO2纳米晶；本文采用XRD、SEM等手段对材料的组成及形貌等进行表征和分析，并利用所制备的纳米晶制成气敏元件，对其气敏性进行探讨。结果表明，采用水热法可以制得纯度高、粒径均匀的SnO2纳米晶，180℃下的粉体为大小均一的球形颗粒，且具有良好的气敏性能；160℃下的粉体形貌不一，气敏性能微弱；200℃下的粉体较180℃的粉体颗粒有明显增大，气敏性能也不如180℃的粉体优良。 【关键词】SnO2 纳米晶 水热法 气敏性 近年来随着我国工业生产的规模不断壮大，在生产中使用及产生的气体种类不断增加。有些气体是对自然及人体是有害的，甚至出现安全事故。为防止这类情况的出现，对这些气体的检测是十分重要的，这得需要一个气体传感器。对于一个理想化的气敏传感器应具备以下的优点：灵敏性高、选择性好、响应和恢复的时间短、工作稳定性好、工艺简单、成本低廉无污染。针对气体传感器需要的各种优点，目前存在的主要问题是上述几方面无法同时得到满足，尤其是对检测气体至关重要的选择性、灵敏度、稳定性等无法同时满足，往往满足了一方面，而其他方面达不到要求。 本课题基于已有的研究，从材料的纳米化着手（材料的颗粒越细，单位比表面积越大，灵敏度越高，利用纳米粒子所特有的性能，有期望开发出功能优异的气敏半导体元件），以市售的氯化锡为原料，采用水热溶剂热法合成氧化锡的纳米晶体。该方法试验过程简单，反应条件温和，所需设备常见，具有很高的可重复性。气敏性能采用静态气敏分析仪进行分析，对不同工艺合成的氧化锡样品进行对比，通过气体灵敏度、响应时间、恢复时间等指标表征其气敏性能。 一、概述 （一）氧化锡的结构和性能 锡为第四主族金属元素，外层具有四个价电子，其价电子层结构为 5s25p2，由于四个价电子能量的不同，氧化价态表现为+2价和+4价。SnO2属于四方晶系，具有四方对称结构，三个晶轴相互垂直，且a=bc[1]。室温下，SnO2的晶胞参数a=0.474nm，c=0.319nm，密度为6.95g/cm3，纯SnO2的熔点是1630℃，1800～1900℃升华[2]，图1.1[3]为氧化锡的晶体结构示意图： 氧化锡是一种重要的n型半导体材料，其能隙较宽（3.6ev，300K），物理、化学稳定性好，耐腐蚀性强，在太阳能电池[4]，透明导电电极[3]，气敏和湿敏传感器[5，6]等方面都有广泛的应用。 （二）氧化锡纳米晶的制备 SnO2的制备方法很多，但传统的工艺往往达不到粒度要求，且纯度难以保证。近年来发展了多种制备超细粉的工艺，按照原料状态可分为气相法、液相法和固相法。 所谓气相法是指在制备的过程中，直接采用气态反应源或通过特定方法和途径将反应源转化为气态物质，随后让其在适当条件和环境中结晶长大形成纳米材料的方法，包括气体化学反应法和气体蒸发法等，例如气体蒸发法的优点是产物纯度高，分散性好，粒径分布窄，但缺点是能耗太大[5]。 所谓固相法是指通过从固相到固相的变化来制造超微粉体，制备的反应过程没有相的变化的方法。固相法主要包括机械粉碎法和固相反应法，例如机械粉碎法的优点是工艺简单成本低，产量高，但缺点是效率低，所得粉体易引入杂质[6]。 所谓液相法是指在制备的过程中，采用溶液作为媒介或载体传递能量，使反应源发生一定的物理化学反应，从而结晶长大制备纳米材料的方法。液相法主要包括沉淀法、微乳液法、溶胶-凝胶法、水热法和溶剂热法等[4]。 1.热蒸发法 热蒸发法是在高温下直接加热原料或原料和催化剂，然后用惰性气体将蒸汽吹到低温处，使晶粒形核长大从而得到纳米晶体的一种方法[7]。这种工艺原理简单，但是影响因素较多，包括原料纯度、蒸发温度、收集温度、载气的种类和压强等，限制了这种工艺的推广。 2.气相沉积法（CVD） 化学气相沉积（CVD）是半导体工业中应用最为广泛的用来