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物理评论B48卷，编号171993年11月1 - II. INTRODUCTlON II型超导体带电流在垂直磁场 厄恩斯特赫尔穆特勃兰特和米哈伊尔indenbom马克斯 · 普朗克研究所金属物理学的研究所IN-7000斯图加特80德意志联邦共和国电流密度磁场磁通量侵入磁矩的计算解析薄带的一种超导体承载的传输电流I在一个垂直的磁场Ha重要电流密度常数j设确切解决方案揭示这常常到垂直的几何特性,定性不同广泛使用的临界状态模型: 渗透的前面领域和当前外形有垂直的倾斜; 最初的有效I和被击穿的Ha是二次方最初的偏离线性磁矩在Ha立方滞后损失小交流振幅的四次方成正比电流密度是有限的在整个宽度的地带,即使只有部分渗透通量在薄膜，当Ha或I的世俗变动的方向被扭转j低于无处不在,因此有效地阻止通量蠕变洛伦兹力可以驱动旋涡上山反对的磁通密度梯度。这些分析结果均与纵向几何的临界状态模型和以自然的方式解释许多实验没有表面的屏障的假设。I.介绍 高Tc氧化物超导体的发现已经恢复了在测量这些极端型-电磁性能的超导体实验方法，即兴趣，不可逆磁化曲线和临界（最大电流无损耗）密度，非线性电流-电压曲线和流量蠕变交流损耗和交流磁化率和磁通通过磁光学的渗透。磁通穿透型超导体的安排到更多或更少经常通线格子 (FLL) 的固定，材料的不均匀性的阿布里科蓑涡形式。如果当地的电流密度 j 超过临界值 jc，磁通线移动的洛伦兹力作用下这通漂移能量消耗和诱使电压下降。如果当前由外部源 （通过接触或电感） 驱动此运输将导致一个固定的耗散状态如果潮流是由一条不均匀的涨潮线产生(电流密度的) 密度B r造成的?H/?B)▽×B(r) 其中 H(B)≈B/μ0是在平衡与B的反演性磁场然后，磁通线排列，j无处不在的当达到临界状态时涨潮线行动止步不前或“慢慢地爬行”由于热量被激活的depinning或在较低的温度T，由于隧穿磁通线的针这种“磁通蠕变是高温超导体更明显比常规超导体由于较短的相干长度ξ，由于更高的温度应用，哪些意味小别住的能量 介入重要潮流的实验经常被解释根据最初适用于在一个平行的领域的长的超导体去磁效应是微不足道的豆方式这取决于磁场的历史，电流密度和磁通密度梯度是恒定的或零无处不在的标本j= j=μ0jc或 0.大多上述的实验在垂直磁场H使用菲亚特的超导体，例如，c轴取向的monocrys -血小板或膜。去磁效应此几何中的和模型并不适用特别是，保护标本的内部从Ha的变动，在纵向几何的掩护潮流，仅流在表面层厚度的试样周围 λ(λ是伦敦穿透深度) 但是在垂直几何保护的潮流沿标本的整个宽度流动。而且，是非常重要的真正的影片或平的标本的横断面长方形而不是椭圆形的往往是在使用阿德的磁化系数的计算假定。恒定的厚度D的现实的假设，因此临界恒定电流片J= jcd，一个原因是原豆做的结果不适用；讨论见秒。六在本文中，我们表明，电流和磁场的薄型剖面超导体垂直场中HA或运输电流I定性不同的纵向几何模型下面列出的差异都是由于垂直几何但是他们没有质疑通量线开始移动，当电流密度到达一个临界值Jc的主要和非常有用的想法(a) 涨潮渗透最初是二次方 (豆，线性) 在; 即, 它看起来“延迟”有一个表面势垒或一个大的下临界场H(b) 磁矩的偏差从线性和余存片刻最初是立方体 (豆，二次方) 在Ha。(c)交流损失最初成长的四次方(Bean、第三)的振幅或。(d)渗透的涨潮前面有垂直的(豆，恒定有限)倾斜甚而在领域独立jc和消失的Hc1假设的模型。在修改过的豆圆盘(与有限Hci)涨潮前面也垂直，但是归结于完全不同的原因。(e)当涨潮部分击穿了时和一个严重状态与j = jc在标本的边缘附近建立，潮流漫过盘的整个宽度或小条为了保护中央无涨潮区域 (豆，无涨潮区域是潮流自由)。(f)掩护电流密度是一个连续的(豆，分段的常数)作用，但是有一个垂直的倾斜在它到达饱和价值jc的涨潮前面。(g) 当Ha或I的变动的方向被扭转薄膜中的电流密度（＜λ）低于无处不在（豆， = jc）；(h) 当Ha或I被扭转那里时出现一个空间区域驱动力在通量线行动向外反对涨潮密度梯度豆的压力的地方 (，驱动力=涨潮压力)。这些特点是在圆盘的临界状态的数值计算表明但大多数特异的垂直几何被发现和证明只由零厚度的限制中的分析计算。这样确切的解答是可利用的为当前运载的小条和为盘并且剥离在一个垂直领域。 本论文编写并且完成这些结果并且对扩大他们一个应用的领域Ha和运输潮流I的同时出现在小条或平的圆环和到任意磁性历史。为完整起见应在这里提到垂直几何的另一个特定功能。薄超导体垂直场中的涡电流主要是由于磁力线的曲率和不由梯度的磁通密度B =|B|这可能和 在这里第一个期限密度梯度和第二个期限磁力线的曲度例如，在半宽度a标本和厚度d在一个横向领域沿x，电流密度