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SiC/CaCu3Ti4O12 复合陶瓷电容器的研究 学生: 乔建房 导师: 张 锐 教授 郑州大学材料科学与工程学院 报告内容 选题背景及意义 需要解决的关键问题及创新点 CaCu3Ti4O12(CuO)陶瓷电容器研究 SiC/CaCu3Ti4O12陶瓷电容器研究 全文结论 1 选题背景及意义 电容器的用途 （1）能量储存 （2）调谐、振荡 （3）滤波旁路 电容器的种类 研究背景 高介电常数，适应电子器件发展要求 从低温到高温范围内都具有较高介电常数 可采用一次烧成法制备，工艺易于控制 （传统的GBBLC采用两步烧成法） 创新点 （1）首次采用SiC与CCTO复合，制备SiC/CCTO复合陶瓷 电容器； （2） 制备的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有较高的介电常数 主要解决的关键问题 （1）探索介电性能最优的SiC/CCTO复合粉体配方； （2）确定SiC/CCTO复合陶瓷材料最佳的烧结制度； （3）SiC/CCTO复合陶瓷的介电性能及影响因素 实验工艺流程 3 CaCu3Ti4O12（CuO）陶瓷电容器研究 CCTO(CuO)样品的介电性能 4 SiC/CCTO复合陶瓷电容器 CCTO粉体制备 原料Ca(OH)2、CuO、TiO2 ，按下式合成CCTO： SiC/CCTO复合粉体制备工艺流程 结果与分析 结果与分析 原始SiC粒度分析 结果与分析 空气中烧结SiC/CCTO密度 结果与分析 976oC 放热，失重 1012oC 放热 1081oC 吸热 空气中烧结SiC/CCTO样品物相变化 结果与分析 结果与分析 976oC , 1000oC , 1029oC , 1052oC 放热，失重 N2气氛中烧结样品密度 结果与分析 N2中烧结SiC/CCTO样品物相变化 结果与分析 N2中烧结时SiC/CCTO样品中化学反应 结果与分析 N2中烧结SiC/CCTO样品显微结构 结果与分析 热压烧结SiC/CCTO样品的体积密度 SiC/CCTO介电性能 空气中烧结 N2保护气氛中烧结SiC/CCTO样品 热压烧结SiC/CCTO样品的介电性能 5 全文结论 CuO的存在导致了CCTO晶粒异常长大和较宽的晶粒尺寸分布，有利于提高CCTO(CuO)的介电性能，CuO含量为10vol% 时达到最佳； N2中烧结SiC/CCTO复合陶瓷材料介电常数远高于空气中的； SiC与CCTO在950oC以上发生化学反应； SiC/CCTO 复合陶瓷材料最佳配方为60SiC/40CCTO(wt%)， 常压最佳烧成温度在1050oC左右； 热压烧结能够降低SiC/CCTO 复合陶瓷电容器的介质损耗，这是由于致密度增加，显微结构缺陷减少；最佳热压烧结温度为950oC，压力30MPa 原始SiC粉体 α-SiC，晶粒尺寸约为10?m，表面光洁 结果与分析 粉 体 表 征 原始SiC粒度，颗粒尺寸集中在10?m左右 结果与分析 粉 体 表 征 SCT1、SCT2样品在950oC左右达到最大密度 SCT3、SCT4样品在950oC以上烧结时发生膨胀熔化 空气中SiC/CCTO粉体热行为 CaCu3Ti4O12 + 0.75SiC = CaTiO3 + 3TiO2 + 3Cu + 0.75SiO2 + 0.75CO2(g) 1081oC CuO-Cu2O形成共熔物 976oC 1012oC CaTiO3 + SiO2 = CaTiO(SiO4) SCT2样品(60SiC/40CCTO) 950oC CCTO含量很少 TiO2、SiO2含量增加 粉体： SiC，CCTO 1000oC CCTO物相消失，CuO增加 大量SiO2 1100oC 产生大量CaTiO(SiO4) SCT2样品(60SiC/40CCTO) 结果与分析 05.48 13.74 CuK 03.04 05.75 TiK 00.85 01.35 CaK 48.44 53.68 SiK 12.06 07.61 O K 29.63 14.04 C K At% Wt% Element 00.64 01.80 CuK 12.11 25.69 TiK 04.00 07.11 CaK 10.49 13.05 SiK 57.60 40.81 O K 14.73 07.83 C K At% Wt% Element SCT2样品 (60SiC/40CCTO) 空气中烧结SiC/CCTO样品显微结构 SCT1样品 (80SiC/200CCTO) 1100oC,2h 1081oC 吸热 SCT2样品 (60SiC/40CCTO) Ar保护气氛