关注无铅化焊接中倒装芯片和CSP器件的检验.docxVIP

关注无铅化焊接中倒装芯片和CSP器件的检验胡志勇（华东计算技术研究所，上海201233）摘要：无铅化的进程将会导致设计、焊接和质量控制方面面临新的挑战。特别是在实施无 铅化焊接的过程中，在倒装芯片和芯片规模封装（CSP）上面非常小的焊点将会经历非常高的热应力冲击，这将可能会形成致命的缺陷现象存在。引脚阵列配置的元器件面临高热应力的挑战，可能会导致上面的球体脱离。本文主要根据有关资料，介绍针对无铅化焊接中 倒装芯片和CSP器件的检验工作。关键词：无铅化、倒装芯片（FC）、芯片规模封装（CSP）、检验、表面贴装技术（SMT）铅在电子工业中有着非常广泛的应用需求，这是因为它的价格比较低廉，同时具有良 好的导电性和相对较低的熔点。然而，根据有关的国际公约，特别是欧盟的规定，许多国 家和电子产品用户的技术标准都规定，在提供销售的商品中要消除有害材料的使用。当PCB组件转换到采用无铅化焊接时会遭遇到许多方面的挑战。就像任何一项新颖的生产制造技 术进入到产品制造生产之中一样，人们应该对所面临的挑战有个清晰的认识和了解。一、无铅化对倒装芯片和CSP器件焊接工艺带来的影响无铅化的进程将会导致设计、焊接和质量控制方面面临许多新的挑战。较高的再流焊接温度将会对PCB基板和元器件形成较高的热应力。在较高的无铅化合金熔点和元器件可 以承受的最高温度之间只有很小的工艺窗口，这样会导致焊接工艺的实现充满了困难。然 而，最主要的挑战在于必须考虑确保在生产过程中PCB组件的失效率为最低。特别值得一 提的是在实施无铅化焊接的过程中，在倒装芯片（flip chips 简称FC）和芯片规模封装（chip-scale packages 简称CSP）上面非常小的焊点将会经历非常高的热应力冲击，这 将可能会形成致命的缺陷现象存在。本文试图通过对有关资料的整理，将目光瞄准面阵列封装器件（FC器件和CSP器件）所存在的顶部焊球脱落的问题。揭示在锡铅合金焊接和无铅化焊接工艺过程中，与FC器件 和CSP器件可靠性相关联的失效现象分析。最后，介绍了专门设计采用无损伤的方式来发 现此类缺陷的光学检验技术。由不同制造厂商所进行的FC器件和CSP器件的内部设计有着非常大的差异，正如图1 和图2所呈现的那样。在机械应力的作用下面，FC或者CSP器件上极其微小的连接点将会面临极大的失效风险。许多专家学者瞄准失效机理方面开展了大量的研究工作，其具体方 法为识别在倒装芯片封装中内含的破裂形式和潜在的脱层位置。例如在《倒装芯片封装中 的物理状态》（ToshioNakamuraandGaryYuGu“MechanicalBehaviorsofFlip-ChipPackaging”/garyyugu/flip_chip_pack/filp_chip.htm）一文中清晰地表明在焊料连接点上面存在着严重的风险（见图3和图4）。图1、倒装芯片器件（FC）图2、芯片规模封装器件（CSP）图3、单元分析（可能失效的界面1）：红色区域（即图中150处）为受应力最大区域。图4、单元分析（可能的失效界面2）：深色区域为受应力最大的区域。应该注意CSP连接处焊球球体顶部脱离的问题，通过对失效组件的横截面分析表明： 沿着组件的器件一侧焊点内部会发生裂纹现象。图5反映了某封装器件未采取底部填充措 施的样品，失效现象发生在应测试过程中。破裂首先发生在焊料掩膜和元器件焊盘的连接 界面上。图6反映了另一封装器件的横截面情况，底部填充材料采用了UF1，在经历了1825次应力循环以后发生了失效现象。图5、某封装器件未采用底部填充方法的失效形式图6、另一封装器件（UF1）发生失效现象的横截面图底部填充方式一般用于FC器件和一些CSP器件上面，这是为了增强在焊接以后焊点处 的物理强度。如果在底部填充工艺实施以前就发生了分离现象，而且没有被发现，这将会 引发早期的现场失效现象。许多面阵列封装器件，包括CSP器件，使用了中介物，它可以 用来补偿在焊点处的内部张力，这种内部张力是在加热和冷却期间，由于热膨胀系统不匹 配所产生的。一般来说，热膨胀系数不一致所引发的常见问题可见图7所示：由于来自于 PCB基板和元器件体的热膨胀系数（例如：对于FR-4材料来说，热膨胀系数为18ppm/°C； 而对于硅晶片来说，热膨胀系数却为 2.8 ppm/°C）事实上很难会达成一致，材料在膨胀 过程中会形成有差异的相对位移现象，这种现象随着操作温度的提升而强化。当焊球发生 凝固，在冷却期间，在两接触材料之间不同的相对位移，这样就会引发剪切力。图8揭示了移动的实际情况，在元器件四角位置发生的位移最大。让我们对元器件从中心线向外延伸考虑，在中心位置处的焊球相对位移为“0”。靠近元器件封装角的位置，相对位移的差异会随着与中心位置距离的增加而增大。举例来说，焊球6（ΔX