半导体流体动力学模型及其极限的分析研究.pdfVIP

摘 要 自从K．Blctekj戤在文献f19]中介绍了半导体流体动力学模型以来，半导体流体动 力学模型得到越来越多的研究和重视。特别是在热电子效应模型中的应用，更是推动了 半导体流体动力学模型的研究．关于半导体流体动力学模型在物理和工程方面的应用以 及如何从能量传递方程推导出该方程，读者可参阅文献【2m26】． 本文进一步研究半导体流体动力学模型．第一部分研究瞬态单极半导体流体动力学 模型 f瑰+矗_0 {五+(芸+P(n))2=礼圣善一季 (” 【入2西∞=n—c(z) 西表示静 其中n=n(t，z)0表示电子密度函数，j『=j(t，z)表示电流密度函数， 电势，P=P(n)为关于n的压力密度函数，C(z)表示掺杂浓度．对时间作尺度变换 t=产s，假设A2=丁1+d记 ．Pr(s，z)=A2西害(丁。5，z)=下1+。圣z(rnS，z) 矿(s，$)=n(产s，z)，，(s，z)=产J(俨s，z) 则(I)式变为 I《十五=0 P川菩∥+o蹦m=矿P一， (2) 卜m 【鬈=矿一c(z) 在G(z)≠o的情况下，文献【4，11】对方程(2)研究得到结果：当r一0时，上述 方程解的极限满足方程 {轳一心k (3) I兄=n—c(z) 而本文研究当掺杂浓度为零时，上述瞬态单极半导体流体动力学模型解的极限模型． 同样研究瞬态双极半导体流体动力学模型(对时间作尺度变换后) 《+J：=0 Tlr2 7．1一·正+TI_aJ刀，-+丁1扣P(扩)k=nt，一， 露+q=0 7．11G：+(丁1呻等+1．1佃Q(矿))暑一一矿，一伊 E=矿一矿一c(x) 的解的极限模型．其中矿(s，z)表示尺度变换后电子密度函数，矿(s，z)表示尺度变换后 空穴密度函数， a-(s，z)表示尺度变换后电子电流密度函数，(y(s，z)表示尺度变换后 空穴电流密度函数，P=P(矿)，Q=Q(，)为关于矿，矿的压力密度函数． 论文第二部分首先研究带有粘滞系数稳态半导体流体动力学模型 fj『=const． {(暴+P(∥))z--nv(I)：一手+y(嘉)站(5) ． 【A2圣笔=他”一c(x) 在周期边值条件； ∥(o)=np(1)，《(o)=《(1) (6) 和边值条件； 西p(o)=圣o=0，西”(1)=圣1 (7) 下，解的存在性(其中l，表示粘滞系数)． 最后，我们证明了当|，一0时，上述模型解的极限满足带有周期边值条件的非粘滞 稳态半导体流体动力学模型【9，12，21，27】 侧味 = t 一 跏脏 ．，一丁 卢《舶=严i砸拓 一一 以砷功 和周期边值条件 n(o)=n(1) 因此我们同时得到了非粘滞稳态