线路板电镀知识讲座，技术精华部分.pptVIP

* 在高电流密度下电镀铜时，如何兼顾板面、孔内均匀性及铜层质量? * 前 言 由於強調輕、薄、短、小的HDI時代已成為PCB業界的主流。在電鍍銅的製程中，深盲孔及高縱橫比通孔電鍍、較佳的銅品質及板面均勻性等等的要求標準，過去輕忽的或認為不重要的部份，現在都成為重要及關鍵的影響。目前業界為解決電鍍方面的各項問題，大多以降低電流密度而犧牲產量的做法來因應，但這畢竟是不景氣時的權宜辦法，所以為準備下一波榮景的到來，未雨綢繆地加以探討及解決才可立於不敗之地。 本篇內容主要從電鍍理論的角度探討，如何在高電流密度下操作仍能兼顧鍍銅品質、板面及孔內的銅層均勻性。 * 电镀理论之探讨与回顾 硫酸銅電鍍是一歷史悠久的電鍍製程，自從1838年Jacobi氏的試驗成功開始，迄今不論是PCB產業或者半導體產業，其重要性及經濟性愈來愈不可忽視。這看似簡單的製程，但在HDI的高要求標準下，無論通孔或盲孔都有著許多製程瓶頸需要去突破。所以我們不得不抽絲剝繭地從理論的部份加以分析及探討： * 陰極主要發生之還原半反應 Cu++ + 2e- → Cuo Eo = + 0.34V -------(1) Cu++ + e- → Cu+ Eo = + 0.15V -------(2) Cu+ + e- → Cuo Eo = + 0.52V 2H+ + 2e- → H2 ↑ Eo = 0 V 圖1：硫酸銅電鍍液中主要發生之半反應 Eo 值越大表示反應越容易發生 陽極主要發生之氧化半反應 Cuo → Cu++ + 2 e- Eo = – 0.34V 2H2O(l) → 4H+ + O2↑ + 4e- Eo = – 1.23 V * I 2H++ 2e- → H2 Cu++ + 2e- → Cuo E 僅發生電鍍 發生電鍍+ H2 ↑ 圖1-1：硫酸銅電鍍液中主要發生之半反應 * Bulk solution Double layer Diffusion layer Concentration of copper ion Cathode Distance between cathode and anode Convection Velocity almost zero If convection velocity↑then δ δ Insoluble Anode Soluble Anode Anode 圖2：銅離子濃度在鍍液中之分佈情形 * 三、影響Throwing Power 之主要因子 1.一次電流分佈(Primary current distribution)如圖3-1： 2.二次電流分佈(Secondary current distribution)如圖3-2： 3.電鍍困難度(Difficulty of plating)如圖3-3： * 圖3-1：一次電流分佈(Primary current distribution) + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + － － _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ － － － － －－ + + + + + _____ + + + + + ___ * 1.IR drop ：孔內外電位差之電阻(能量損失)。 2.Rms與Rmh：孔內外之濃度過電壓。 3. Rcth與Rcts ：孔內外之活化過電壓 。 + + + + + + + + + Rms Rcts Rmh Rcth IR drop _ __ ___ Throwing Power = Rms + Rcts Rcth + Rmh + IRdrop = RSurface RHole 圖3-2：二次電流分佈(Secondary current distribution _ __ ___ * Cu++ → Cuo Cu++ ↓ Cuo IR drop = 孔內外之電位差(能量損失) J = 電流密度 k = 溶液導電度 d = 孔徑 L = 板厚 IR drop 圖3-3：電鍍困難度(Difficulty of Plating) IR drop = J L2 2kd L2 d 代表著電鍍困難度 * 所以如何讓Throwing Power接近100%？ 1.使IR drop(孔內外之電位差)愈