02第二节 PN结.ppt

第二节 PN结 * * 一、PN结制造工艺： 在一块P 型（或N型）半导体中，掺入施主杂质（或受主杂质），将其中一部分转换为N型（或P型）。这样形成的PN结保持了两种半导体之间晶格结构的连续性，此制造工艺称为平面扩散法。 实际的PN结均为不对称结，它的P型和N型半导体具有不同的掺杂浓度。其中，P区掺杂浓度大于N区的称为 结；N区掺杂浓度大于P区的称为 结。 1、PN结形成过程（阻挡层形成的物理过程）： 二、动态平衡下的PN结： 接触面 P型 N型 空间电荷区 内建电场E P区 N区 设 ID 为P区流向 N区的扩散电流 IT 为N区流向P区的漂移电流 由于浓度差的影响，载流子将产生扩散运动。随着多子扩散运动的进行，紧靠在接触面两侧留下被电的离子电荷量增多，空间电荷 区 增宽，其间的内建电场E相应增大。 结果：是多子扩散减弱，同时少子漂移增强，直到扩散和漂移运动达到动态平衡。 扩散和漂移运动达到动态平衡： 此时通过空间电荷区的总电流为零，因而通过PN结的净电流为零。 PN结可称为：空间电荷区、耗尽区、阻挡层、势垒区。 内建电位差：由内建电场E产生的电位差，用 VB 表示 根据动态平衡条件： 求得VB 近似表达式 式中 VT 称为热电压，单位为伏特。 当室温为 时 上式表明，PN结两边的掺杂浓度Na、Nd 越大，ni 越小，VB就越大。 锗的ni 大于硅，因而硅的VB 大于锗。 2、内建电位差: 空间电荷区 内建电场E P区 N区 V X 0 VB -XP Xn 结的内建电位差 设、PN结的截面积为 S ，则阻挡层在 P区一边的负电荷量为： N区一边的正电荷量为： 它们的绝对值相等，因而有： 此式表明，阻挡层任一侧宽度与该侧掺杂浓度成反比。或者说，阻挡层主要向低掺杂一侧扩展。 3、阻挡层宽度： 例如 结，即P区的Na大于N区的Nd 故 还可证明，动态平衡下PN结的阻挡层宽度为： 式中、ε为介电常数，由此式可知，VB 越小或者Na和Nd越大，lo就越小。 因为VB小，表明空间电荷区二边的正、负电荷量小，lo就小；Na和Nd大，xn和xp就必然小，因而，lo就越小。此外，温度升高时，由于VB减小，lo也就减小。 lo一般为 μm 数量级。 超突变结 缓变结 突变结 三、PN结的伏安特性： 1、PN结伏安特性： （1）、正向特性 PN结外加正向电压（简称正偏），即外加直流电源正极接P区，负极接N区。 是指通过PN结的电流与加在其上电压之间的依存关系。 V 内建电场E 在忽略引线电阻，P区、N区体电阻时，即外加电压将全部加在 PN结上，由于外加电压与内建电位差的极性相反，因而阻挡层两端的电位差，由VB减小到(VB-V)。 V 内建电场E 结果： 阻挡层宽度减小，即 l lo 两侧的离子电量减少，扩散运动增强，打破了扩散和漂移的动态平衡，此时 ID IT 这样P区中多子空穴将源源不断的通过阻挡层扩散到N区， 成为N区中的非平衡少子，建立如图所示的少子浓度分布图。 阻挡层两端电位差、中性区少子浓度分布。 x P N 0 V -xpo -xp xn xno lo l VB-V VB -xp xn x Pn(x) np(x) npo pno 0 外加电源的作用： 它必须向P区源源不断地补充失去的空穴（因注入N区，而失去的空穴及复合非平衡少子电子，而失去的空穴）；向N区源源不断地补充失去的电子（因注入P区，而失去的电子及复合非平衡少子空穴，而失去的电子）。 即： 外电源向P区补充空穴就是从P区拉出电子，显然，这些电子 恰好是N区所需补充的，因此，外电路仅有自N区通过外电源流向P区的电子电流。实际上，补充的目的，就是为了满足在P区、N区的电中性条件，通常将P区和N区统称为中性区。 （2）、反向特性： PN结外加反向电压（简称反偏）：即 P 区接电源的负极，N区接电源的正极。 V N P 内建电场E x 0 V -xpo -xp xn xno lo l VB+V VB -xp xn x Pn(x) np(x) npo pno 0 N P + 阻挡层两端电位差、中性区少子浓度分布 由于外加电源电压V与内建电位差VB的极性一致，因此PN结两端电位差由VB增大到VB+V 。 结果：PN结的离子电荷量增加，阻挡层增宽，即内建电位差增大，漂 移增