06半导体探测器.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2) 输出信号 当 R0(Cd+Ca) tc ( tc为载流子收集时间 )时，为电压脉冲型工作状态： 辐射在灵敏体积内产生的电子－空穴对数 脉冲后沿以时间常数R0(Cd+Ca) 指数规律下降。 脉冲前沿从粒子入射至全部载流子被收集(tc)。 但是，由于输出电压脉冲幅度h与结电容Cd有关，而结电容 随偏压而变化，因此当所加偏压不稳定时，将会使 h 发生附加的涨落， 不利于能谱的测量；为解决该矛盾，PN结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器，而是采用电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大，可以保证 C入 Cd ，而 C入是十分稳定的，从而大大减小了Cd变化的影响。若电荷灵敏前置放大器的反馈电容和反馈电阻为Cf和Rf，则其输出脉冲幅度为： 输出回路的时间常数为： 3) 载流子收集时间 由于在边界，电场强度趋于0，定义载流子扫过 x＝0.99W 的距离的时间为载流子收集时间： PN结探测器电压脉冲信号的上升时间很快 对Si， 4、主要性能 PN结半导体探测器主要用于测量重带电粒子的能谱，如?,p等，要求耗尽层厚度大于入射粒子的射程。 1) 能量分辨率 影响能量分辨率的因素为： (1) 输出脉冲幅度的统计涨落 式中：F为法诺因子，对Si，F=0.143；对Ge，F=0.129。W为产生一个电子—空穴对所需要的平均能量。 能量分辨率可用FWHM表示： FWHM 或 ?E 称为半高宽或线宽，单位为：keV。 以210Po的 E＝5.304MeV 的?粒子为例， 对一种PN结探测器，由于输出脉冲幅度的统计涨落引起的线宽为： (2) 探测器和电子学噪声 探测器的噪声由P-N结反向电流及表面漏电流的涨落造成； 电子学噪声主要由第一级FET噪声构成，包括：零电容噪声和噪声斜率。 零电容噪声＋噪声斜率×结电容 噪声也可以用等效噪声电荷ENC表示，即放大器输出噪声电压的均方根值等效于放大器输入端的噪声电荷，以电子电荷为单位；由于噪声叠加在射线产生的信号上，使谱线进一步加宽，参照产生信号的射线的能量，用FWHM表示，其单位就是keV。例如，ENC＝200电子对，由噪声引起的线宽为： (3) 窗厚度的影响 式中 为单位窗厚度引起的能量损失。 得到总线宽为： 例如： 则： 2） 分辨时间与时间分辨本领： 3） 能量线性很好，与入射粒子类型和能量基本无关 4） 辐照寿命 辐照寿命是半导体探测器的一个致命的弱点。半导体探测器随着使用时间的增加，造成载流子寿命变短，影响载流子的收集。例如，对5.5MeV的?粒子，当达到109cm-2时，分辨率开始变坏，达到1011cm-2时明显变坏。 5、应用 1） 重带电粒子能谱测量 2） dE/dx 探测器 dE/dx探测器工作于全耗尽型或过耗尽型状态，可用于粒子鉴别。 dE/dx探测器的输出信号为X， 能量探测器的输出信号为Y， 其乘积 XY＝mZ2 而得到粒子谱。 由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限；而且该辐射能量较高时，将不能把全部能量损耗在探测器中，即将不能用 P-N结半导体探测器来测量该辐射的能谱。 P-N结半导体探测器存在的矛盾： P-N结型探测器灵敏体积的线度一般不超过1mm 1MeV的?粒子在硅中的射程~1.6mm 对?射线的探测效率太低 10.4 锂漂移半导体探测器 1. 锂的漂移特性及P-I-N结 1) 间隙型杂质——Li Li为施主杂质，电离能很小 ～0.033eV Li＋漂移速度 当温度T 增大时，?(T)增大，Li+漂移速度增大。 2) P-I-N结的形成 基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的)，例如掺硼的Si或Ge单晶。 (1) 一端表面蒸Li，Li离子化为Li+,形成PN结。 (2) 另一端表面蒸金属，引出电极。 外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如Ge-)中和，并可实现自动补偿形成 I 区。 (3) 形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电极即可。 锂离子在外加电场作用下向右漂移。 NLi较大处会引起电场变化，加速多余的锂离子向右漂移。 a b 锂离子漂移区域不存在空间电荷，为均匀电场分布。 P N+ Intrinsic Semi Front metal