半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性 Surface Modification of High Ultrafine SiC Powders for Semiconductor Manufacturing.pdfVIP

第，7卷第3期 ≯≮ 中国粉体技术 VOI．17No．3 201 CHINAPOWDERSCIENCEANDTECHNOLOGY Jun．2011 1年6月 o●o doi：10．39690．issn．1008—5548．2011．03．016 半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性 李星，铁生年 (青海大学非金属材料研究所，青海西宁810016) 摘要：通过偶联荆预处理、接枝聚合丙烯酸钠两步法对siC粉体进行 在半导体制造领域，许多工程都在使用SiC陶 表面改性，制备聚丙烯酸钠接枝改性SiC粉体，并对改性粉体进行表 瓷。作为半导体制造用高性能结构陶瓷的原料粉体， 征。测试SiC粉体的zeta电位，讨论改性对SiC粉体料菜分散稳定性 必须要求SiC微粉具有高纯、超细、分散性好的特 和流动性的影响。结果表明：SiC微粉经表面改性后并未改变原始SiC 微粉的物相结构．只是改变其在水中的胶体性质；微粉团聚现象减少， 性。而经机械粉碎后的SiC粉体形状不规则，且由于 分散性得到改善；改性SiC微粉与原始siC微粉相比，表面特性发生粒径小、表面积大、表面能高，很容易发生团聚，形 很大变化，zeta电住值显著提高，悬浮液的分散稳定性得到明显改善。 成二次粒子，这样就无法表现lq{表面积效应、体积效 且黏度降低。 应等，从而很难实现超细尺廖‘范围内颗粒之间的均 关键词：超细粉体；碳化硅；表面改性；分散性；流动性 匀分散以及浇注成型工艺中料浆的分散、稳定和悬 中图分类号：TQl74 文献标志码：A 文章编号：1008-5548(2011)03一0054一05 浮，进而影响陶瓷材料性能的提高nl。因此通过加入 改性剂来改善SiC粉体的分散性、流动性，消除团 SurfaceModificationof UltrafineSiC 聚，是提高超细粉体成型性能以及制品最终性能的 High 有效方法之一。SiC微粉的表面改性方法主要有酸 PowdersforSemiconductor Manufacturing 洗提纯法、无机改性法和有机改性法等，其中有机政 性是目前主要采用的方法【2】。在国内，以有机体系的 Li Xing．mShengnian (InstituteofNon-metaUic 包覆改性大多是在粉体表面直接包覆有机高聚物， Materials，QinghaiUniversity， 810016，China) 但一般情况下，有机高聚物与无机粉体表面之间只 Xining 产生物理吸附而不是牢固的化学吸附，因此改性效 modifiedSiC was Abstract：The powders organics prfq柏aedby coating果不明显。偶联剂是具有两性结构的化学物质，可以 method．The wasusedas tocorre