chapter-2 半导体器件.ppt

第二章 半导体器件 Semiconductor 学习目标 掌握以下基本概念：半导体材料的特点、载流子、扩散运动、漂移运动； 了解PN结的形成过程及半导体二极管的单向导电性、二极管的伏安特性及其电路的分析方法；正确理解半导体二极管的主要参数； 掌握稳压管工作原理及使用中的注意事项，了解选管的一般原则。 掌握三极管的伏安特性、电流分配关系、放大条件及放大工作原理； 掌握场效应管的伏安特性、放大条件及放大工作原理； 重点 PN结的单向导电性、PN结的伏安特性； 二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路、二极管的应用； 稳压管稳压原理及简单稳压电路； BJT的输入、输出特性、BJT三种工作状态的判断方法； MOS管结构原理； MOS管的伏安特性及其在三个工作区的工作条件； 难点 半导体的导电机理、PN结的形成； 二极管在电路中导通与否的判断、二极管在电路中的具体模型； 稳压管稳压原理； BJT三种工作状态的判断方法； 各类场效应管的管型判断；MOS管各工作区的工作条件。 §2.1 半导体的特性 Semiconductor Phisics 根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 半导体的特点 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 2.1.1　本征半导体 Intrinsic Semiconductor 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。 由于随机热振动致使本征半导体共价键被打破而产生电子－空穴对。 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的空位，以后其他电子又可转移到这个新的空位。这样就使共价键中出现一定的电荷迁移。空穴的移动方向和电子移动方向是相反的。运载电荷的粒子称为载流子(Carriers)。 2.1.2　杂质半导体 Extrinsic Semiconductor 本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某种特定杂质，成为杂质半导体后，其导电性能将发生质的变化。 一、Ｎ型半导体 二、Ｐ型半导体 三、杂质半导体的特点 §2.2　半导体二极管 Diode 2.2.1　PN结及其单向导电性 通过掺杂工艺，把本征硅(或锗)片的一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，这样在它们的交界面处会形成一个很薄的特殊物理层，称为ＰＮ结 。 一、PN结的形成及其内部载流子的运动 P型半导体和N型半导体有机地结合在一起时,因为P区一侧空穴多，N区一侧电子多，所以在它们的界面处存在空穴和电子的浓度差。于是P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。这样在P区和N区分别留下了不能移动的受主负离子和施主正离子，形成空间电荷区（耗尽层）。 PN结中的载流子有扩散、漂移两种运动模式； 多子参与扩散运动，由掺杂浓度决定； 少子参与扩散运动，由温度决定； 扩散运动形成的内电场，阻止多子的扩散，增强少子的漂移，最终使这两种运动达到平衡；形成PN结。 ＰＮ结正向偏置——导通 ＰＮ结反向偏置——截止 2.2.2　二极管的类型及伏安特性 1.二极管的类型及结构 2.二极管的伏安特性 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时： PN结的反向电流增大，平均温度每升高10°C，反向饱和电流增大一倍，反向特性曲线下移； 正向导通电压减小，温度每升高1°C，管压降降低（2--2.5）mV正向特性曲线将左移。 2.2.3　二极管的主要参数 最大整流电流IＦ: 指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，它是由ＰＮ结的结面积和外界散热条件决定的。实际应用时，二极管的平均电流不能超过此值，并要满足散热条件，否则会烧坏二极管。 最高反向工作电压UR: 指二极管使用时所允许加的最大反向电压,超过此值二极管就有发生反向击穿的危险。通常取反向击穿电压UBR的一半作为UR 。 反向电流IＲ: 指在室温下，二极管未击穿时的反向电流值。该电流越小，管子的单向导电性能就越好。另由于反向电流是由少数载流子形成，所以温度升高，反向电流会急剧增加，因而在使用时要注意温度的影响。 最高工作频率fM：主要由ＰＮ结的结电容大小决定。结电容越大,则其允许的最高工作频率越低。 极间电容（节点容）： 二极管的极间电容它包括势垒电容和扩散电容两部分。 势垒电容CB 由PN结的空间电荷区（耗尽层）形成。它与PN结面积S成正比，与耗尽层厚度成反比。反向偏置电压增加，