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第四章 晶体结构缺陷习题与解答
第四章 晶体结构缺陷习题与解答4.1 名词解释(a)弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b)刃型位错和螺型位错解:(a)当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b)滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。4.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl中K+或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX晶体中,间隙原子的表示符号为MI或XI;空位缺陷的表示符号为:VM或VX。如果进入MX晶体的杂质原子是A,则其表示符号可写成:AM或AX(取代式)以及Ai(间隙式)。当CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷,其缺陷反应式如下:CaCl2++2ClClCaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为:CaCl2+2 +2ClCl4.3在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么?解:位置平衡是指在化合物MaXb中,M格点数与X格点数保持正确的比例关系,即M:X=a:b。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。4.4(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25和1600时热缺陷的浓度。 (b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。解:(a)根据热缺陷浓度公式:exp(-)由题意 G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19JK=1.38×10-23 J/KT1=25+273=298K T2=1600+273=1873K298K: exp =1.9210-511873K: exp=8×10-9(b)在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为:
此时产生的缺陷为[ ]杂质。而由上式可知:[Al2O3]=[ ]杂质当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为[ ]杂质=[Al2O3]=10-6由(a)计算结果可知:在1873 K,[ ]热=8×10-9显然: [ ]杂质>[ ]热,所以在1873 K时杂质缺陷占优势。4.5对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。
exp(-)
由题意 △G=84KJ/mol=84000J/mol
则 exp()
其中R=8.314J/mol·K
当T1=1000K时, exp()= exp=6.4×10-3
当T2=1500K时, exp()= exp=3.45×10-2
4.6试写出在下列二种情况,生成什么缺陷?缺陷浓度是多少?(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石(b)在Al2O3中,添加0.5mol%的NiO,生成黄宝石。解:(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石的缺陷反应式为:Cr2O3生成置换式杂质原子点缺陷。其缺陷浓度为:0.01%× =0.004%=4×10-3 %(b)当添加0.5mol%的NiO在Al2O3中,生成黄宝石的缺陷反应式为:
2NiO++2OO
生成置换式的空位点缺陷。其缺陷浓度为:0.5%×=0.3 %
4.7非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎样变化?增大?减少?为什么?解:(a)非化学计量化合物Fe1-xO,是由于正离子空位,引起负离子过剩:2Fe Fe+ O2(g)→2Fe+ V+OO
O2(g)→OO + V+2h
按质量作用定律,平衡常数
K=
由此可得
[V]﹠ PO1/6
即:铁空位的浓度和氧分压的1/6次方成正比,故当周围分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-xO的密度也将减小。
(b)非化学计量化合物Zn1+xO,由于正离子填隙,使金属离子过剩:
ZnO+2e′+ O2(g)
根据质量作用定律
K=[] [e′]2
得 []PO-1/6
即:间隙离子的浓度与氧分压的1/6次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+xO的密度也将减小。4.8非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+=0.1,求FexO中的空位浓度及x值。
xO,可认为是
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