光电功能材料课程-4.pptVIP

金属、绝缘体、半导体的能带特征 禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。锗的禁带宽度为0.785ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.424ev。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。 2.2. 半导体材料 2.2. 半导体材料 2.2. 半导体材料 2.2. 半导体材料 2.2.1.2. 　本征半导体与掺杂半导体 n形半导体：IV A族元素（C，Si，Ge, Sn)中掺以V A族元素（P，As， Sb，Bi）后，造成掺杂元素的价电子多于纯元素的价电子，其导电机理是电子导电占主导，这类半导体是n型半导体 p形半导体：在Iv A族元素掺杂以III族元素（如B）时，掺杂元素价电子少于纯元素的价电子，它们的原子间生成共价键以后，还缺一个电子，而在价带中产生了空穴。 二元化合物 * * 《光电功能材料》4 半导体材料 刘 磊 电话 Email: liulei442@mail.njust.edu.cn 2. 电功能材料 2.1. 导电材料 2.2 半导体材料 2.3 介电材料（电介质） 2.4. 铁电材料（强极性电介质） 2.5 超导材料 半导体材料的发展历史 1941年：多晶硅（Si)材料制成检波器 检波器，是检出波动信号中某种有用信息的装置。用于识别波、振荡或信号存在 或变化的器件。检波器通常用来提取所携带的信息。 1947年：锗（Ge)单晶制成晶体三极管 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开 关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电 压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、 switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快， 在实验室中的切换速度可达100GHz以上 。晶体三极管，是半导体基本元器件之 一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上 制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基 区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 1952年：单晶硅:比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处 于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。 砷化镓（GaAs） 半导体材料的发展历史 1952年：硅晶体管 1958年：集成电路:integrated circuit，是一种微型电子器件或部件。 采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等 元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后 封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构 上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数 目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了 一大步。 它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。 1970年代：微电子技术飞速发展 金属、绝缘体、半导体的能带特征 Eg3.5eV 0Eg3.5eV 金属 绝缘体 半导体 价带 导带 Eg~0eV 10-7 S/m σ 104 S/m σ10-7 S/m σ105 S/m 温度升高， σ下降 σ上升 σ上升 能带结构： 本征半导体能带结构如图1-4所示，下面是价带，上面是导带，中间是禁带，价带中的电子受能量激发后，如果激发能大于Eg，电子可从价带跃迁到导带上，同时在价带中留下一个空穴，空穴能量等于激发前电子的能量 导电机理： 半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可以按照电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是导电的载流子。激发既可以是热激发，也可以是半导体中非热激发，通过激发，半导体产生载流子，从而导电。 特性： 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。它的重要特性表现在以下几个方面： （1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电