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陈伟华 　杜磊　庄奕琪　包军林　何亮　张天福 　张雪 物理学报, Vol .58, No .6 , June , 2009） 1、引言 2、物理模型 3、实验验证 4、结论 摘要：基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析, 分别建立了MOS 结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到, 在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与辐射剂量成线性关系, 在中到高辐射剂量下诱导陷阱电荷密度趋于饱和, 模型可以很好地描述这两种陷阱电荷与辐射剂量之间的关系.最后讨论了低剂量辐照下, 两种辐射诱导陷阱电荷密度之间的关系, 认为低辐射剂量下两者存在线性关系, 并用实验验证了理论模型的正确性.该模型为辐射环境下MOS 器件辐射损伤提供了更准确的预测模型。 关键字：:MOS 结构, 辐射, 界面陷阱, 氧化层陷阱:MOS 结构, 辐射, 界面陷阱, 氧化层陷阱。 1、引言 背景：实验结果表明MOS 器件在较低辐射剂量下辐射诱导氧化层陷阱电荷密度与辐射剂量成线性关系, 当辐射剂量很高时, 陷阱电荷密度将出现饱和的趋势。 问题：对于两种辐射诱导陷阱电荷形成之间的关系,前人研究结果存在差异，Lenahan 等从准化学反应角度证实两者的关系密切, 并从理论上推导了它们的定量关系, 但形式较为复杂, 不便于实际使用。 本文：从辐射诱