第十章 导体和电介质2-1.ppt

* 第十章 静电场中的导体和电介质 §1 静电场中的导体 金属导电模型 构成导体框架，形状、大小 的是那些基本不动的带正电 荷的原子实，而自由电子充 满整个导体，属公有化 当有外电场或给导体充电,在场与导体的相互作用的过程中, 自由电子要重新分布 自由电子 正负电何在电场作用下运动 一 .导体的静电平衡条件 1. 静电感应 导体受到外电场E0的作用，导体中的 自由电子逆着电场方向作宏观运动， 引起导体中电荷的重新分布，这就是 静电感应 Electrostatic Equilibrium 2. 静电平衡 它与原来场E0叠加形成总场强 重新分布的电荷产生附加电场E， 附加场 与外场 方向相反 →附加场对原场起削弱作用 只要导体内 ,自由电子的宏观运动就不停止 重新分布的 不断增加，直到导 体内 ，这时导体内电子宏 观运动停止，达到静电平衡 静电平衡下的导体是等势体 表面是等势面 导体内部场强处处为零 3 . 感应电荷 导体由于外场而导致电荷重新分布 这种重新分布的电荷称为感应电荷 4 .导体到达静电平衡的条件 (1) 导体内部场强处处为零 (2) E表面垂直于导体表面 5. 结论 二 静电平衡时的导体上电荷的分布 1 .实心导体 导体内处处没有净电荷 电荷只分布在导体表面 2. 空心导体 内表面没有电荷分布 电荷只分布在外表面上 导体内场强处处为零， 按高斯定理，S面内， 实际是内表面上电荷代数和为零 这可能有正负电荷存在 － ＋ 如果真存在，则必存在如图电场线 这说明导体上电势不等，与导体等势体矛盾 3 .电荷在导体表面的分布 外凸处，曲率大处，面电荷密度大 内凹处，电荷分布少 尖端放电(point charge) 就与面电荷密度、场强有关 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 三. 导体表面附近的场强 尖端放电 E=0 1. 导体表面附近的场强 四 .静电屏蔽 electrostatic shielding 1. 屏蔽外场 静电屏蔽 导体内部场强为零 将特定区域用一导体壳包围起来即可 2. 屏蔽带电体产生的场 把带电体用导体壳包起来,并让外壳接地 壳内表面－Q，壳外表面＋Q 内电荷Q 外壳接地 电荷中和 外壳Q＝0 1. 导体壳无论接地与否，外表面以内的空间 不受壳外带电体电场的影响; 2. 接地导体壳内表面以外的空间，不受壳内 带电体的影响这就是静电屏蔽 有关静电屏蔽结论 不受外界影响 不去影响外界 例2 P173例10-1 半径R1的金属球A带电荷Q1， 在外有一同心金属球壳B，其内外半径分别为 R2和R3 ，带电荷Q ，试求该系统的电场分布 和球与壳之间的电势差。 －Q1 Q + Q1 静电 感应 B 球内表－Q1 外表 Q + Q1 球 导 体 电荷 均匀 分布 用高斯定理 求场强分布 场强分布 电势差 R1 r R2 R R3 r R or R2 r R3 球与球壳之间电势差 E＝0 －Q1 Q + Q1 解： ● UAB与球壳B带电量无关 －Q1 Q + Q1 注1： 如AB用导线相连，则A上Q1与B上－Q1中和 壳外仍是Q＋Q1均匀分布，外面电场仍是 §2 电容和电容器 一 . 孤立导体的电容 把孤立导体所带电量Q与其电势U的比值 定义为孤立导体的电容C 注：给导体充电→带电量Q →有电势U 1 .定义 2 .单位 C/V=法拉(F) 3 .注意 电容与导体尺寸形状有关，与Q无关 电容与导体尺寸形状有关，与Q无关 类似于：电阻是本身量，要测 给加压→电流 电场是本身量，要测 试探电荷→受力 电容是本身量，要测 充电荷→电势 4 .例题 求球形导体的电容 解：设球形导体带电Q，则电势 二 .电容器 1 .电容器 通常把两块彼此绝缘,靠得较近的 导体组成的系统称为电容器； 这两个导体称为电容器的两极板 2 .电容器的电容 给电容器充电，使导体系中任何一个 导体带上电荷Q，则导体系中导体间将有 电势差(电压)U，则 ●孤立导体实际是导体与地球组成的电容器 建立电场 储存电能 组合使用滤波 发生脉冲信号 提供时间延迟等 注： ●电容器是有用的电子器件 以后会逐一碰到： ●常见电容器 1 .平板电容器 极间场强 板间电压 可见： 正比于极板的面积，反比于板距。与是否带电无关 高斯定理 S -Q +Q 2 . 圆柱形电容器 设内、外各带电＋Q，－Q 柱间取半径 r 的圆柱高斯面 柱长l RB 看成无限长柱面 内场 Q -Q 线电荷密度