特高压交流盆式绝缘子电场分布计算及屏蔽罩结构优化.docxVIP

高电压技术第39卷第12期2013年12月31日HighVoltageEngineering，V01．39，No．12，December31，2013特高压交流盆式绝缘子电场分布计算及屏蔽罩结构优化杜进桥，张施令，李乃一，彭宗仁(西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安710049)摘要：为提高特高压盆式绝缘子(BTI)可靠性，运用有限元方法计算分析了中心导体和屏蔽罩对特高压交流盆式绝缘子表面电场分布的影响。基于MATLAB和ANSYS，采用非支配排序遗传算法(NSGA-II)对屏蔽罩结构进行优化设计。结果表明，直导体或导体有小凹槽均会导致盆体凹面靠近导体的小三角区域电场发生畸变，加装屏蔽罩可以优化屏蔽盆体表面的高电场强度区域状态。优化后的凹面最大电场强度较优化前降低7．2％，该优化方法有效改善了盆式绝缘子表面电场分布。关键词：特高压；盆式绝缘子；电场计算；有限元法；非支配排序遗传算法；优化设计DOI：10．3969／j．issn．1003—6520．2013．12．028文章编号：1003—6520(2013)12—3037—07ElectricFieldDistributionCalculationandShieldingElectrodeStructureOptimizationofUHVACBasin-typeInsulatorDUJinqiao，ZHANGShiling，LINaiyi，PENGZongren(StateKeyLaboratoryofElectricalInsulationandPowerEquipment，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an710049，China)Abstract：InordertOimprovethereliabilityofUHVACbasin—typeinsulator(BTI)，weanalyzedtheeffectofcenterconductorandshieldingofBTIonitselectricfielddistributionthroughfinite-elementcalculations．Moreover，usingsimulationinMATLABandANSYS，weoptimizedthestructuredesignofshieldingelectrodebyusingthenondominatedsortinggeneticalgorithm1I(NSGA—II)．ThesimulationshowsthatstraightconductorsaswellassmallgrooveswillleadtOthedistortionofelectricfieldinthesmalltriangleareaneartheconductor，whiletheinstallationofshieldingcaneffectivelyimprovethestatus0ftheareawithhighelectricfieldintensityonthesurfaceofBTI：afteroptimization，themaximumelectricfieldintensityisreducedby7．2％．ItisconcludedthattheproposedmethodcaneffectivelyimprovetheelectricfielddistributiononthesurfaceofBTI．Keywords：UHV；basin-typeinsulator；electricfieldcalculation；finiteelementmethod；nondominatedsortinggeneticalgorithmI／；designoptimization理设计盆式绝缘子的屏蔽罩结构可以有效改善其电0引言场分布，增大盆式绝缘子的安全裕度。气体绝缘开关设备(gasinsulatedswitchgear，目前，国内外GIS中使用的绝缘子包括盘式、锥GIS)比传统的敞开式高压配电装置占地面积更小，式和盆式绝缘子。早期国外文献对锥式绝缘子表面更为安全可靠和环保，在我国超、特高压变电站中得电场分布规律的研究较为深入，包括绝缘子尺寸和到了广泛应用[1]。盆式绝缘子在GIS中起着支撑导相对介电常数、表面缺陷、导电微粒等对绝缘子电场体、隔离气室和电气绝缘的作用。其性能好坏关乎的影响[5‘8]。但对用于更高电压等级、结构更为复杂整个电力系统的安全运行。绝缘子表面电场畸变和的盆式绝缘子的研究较少。国内对低电压等级的绝局部电场集中是引起盆式绝缘子闪络的主要原因。缘子电场研究也较多，且已针对其电场分布进行优闪络通常发生在金属电极、环氧