实用一半导体器件及其应用.pptVIP

NEMOS管输出特性曲线 非饱和区 特点： ID同时受VGS与VDS的控制。 当VGS为常数时，VDS??ID近似线性?，表现为一种电阻特性； ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 3.5V 4V 4.5V 当VDS为常数时，VGS ??ID ?，表现出一种压控电阻的特性。 沟道预夹断前对应的工作区。 条件： VGS VGS(th) V DS VGS–VGS(th) 因此，非饱和区又称为可变电阻区。 2.N沟道耗尽型MOSFET 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出导电沟道。 注意比较增强与耗尽型两种场效应管符号 D S G B D S G B D S G B D S G B N 沟道 P 沟道 增强型 N 沟道 P 沟道 耗尽型 MOSFET 二.结型场效应管 P＋ P＋ N型半导体 N 沟 道 G D S 用扩散的方法 制作两个 P区 N型半导体的中间为导电沟道 从N型半导体两端引出两个电极，作为源极S和漏极D 从两个P区引出电极，作为栅极G 耗尽层 1. 结构与符号 第一章 半导体器件及其应用 2、工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极